ZHCAEA0 August 2024 TPS2HCS10-Q1
随着车辆架构从基于域的架构转向基于区域的架构,汽车配电拓扑正在发生巨大变化。同时,区域控制模块越来越多地采用半导体开关来代替目前主导的熔断型保险丝,用于实现配电线束保护。半导体开关的主要优势包括:
图 1 展示了从熔断型保险丝到半导体开关的过渡
当用作智能保险丝器件时,半导体高侧开关中存在许多需要克服的挑战。这些挑战包括降低开关处于导通状态时的静态电流,以及启用为负载(电子控制单元 (ECU) 输入)处常见大型容性负载供电的输出。此外,区域控制模块和输入/输出 (IO) 聚合器 ECU 通常会为各种 ECU 和执行器供电,这使设计和开发成为一项挑战。米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 推出了一个新型智能高侧开关米6体育平台手机版_好二三四系列,该米6体育平台手机版_好二三四系列具有集成 FET 和宽 Ron 范围,以应对这些问题。TPS2HCS10-Q1 器件是一款完全可通过软件配置的先进器件,全面解决了各种开发和技术挑战。该器件集成了配电开关所需的所有特定功能,以及用于执行器驱动应用的高侧开关中的传统保护和诊断功能。
本应用简报介绍了如何使用软件可配置器件来实现区域控制器模块的平台设计,这反映了区域架构向完全软件定义汽车发展的总体趋势。接着,我们讨论了可通过 SPI 配置的 TPS2HCS10-Q1 器件如何满足可编程保险丝特性和低静态电流等所有要求,并能够驱动任何类型的负载,无论是容性 ECU 负载还是电阻/电感式执行器负载。
TPS2HCS10-Q1 器件通过 MCU 的 SPI 串行接口根据负载要求配置器件并读取负载诊断信息。软件可配置的开关具有许多优势,具体包括:
单个平台开发可以适用于具有不同输出负载特性的各种汽车型号。这简化了开发和验证工作,从而缩短了上市时间并降低了开发和验证成本。
TPS2HCS10-Q1 包含嵌入式保险丝的时间-电流特性曲线,以根据负载电流的时长和强度来判断是否/何时关闭开关。该功能使得该器件可以在短时间内承受高负载电流(例如电机浪涌或失速电流),但在过载情况下会自动切断,以保护线束、PCB 布线和连接器。该器件可与熔断型保险丝相比较,但器件间差异要小得多。此外,通过 TPS2HCS10-Q1 中的 SPI 配置,仅需设定标称电流和关断能量触发阈值两个关键参数,即可灵活编程多种保险丝特性曲线。标称电流大致相当于熔断型保险丝的额定电流,与该导线的直流电流能力相匹配。但是,与熔断型保险丝不同,该器件提供了额外的选项,可针对给定的标称电流额定值对时间-电流曲线的多种选择进行编程。此宽范围适用于该器件系列的每个导通电阻 (RdsON) 型号。然后,熔断时间-电流曲线与基于 ADC 电流检测的可配置延迟关断电流和用于短路保护的极快关断功能相结合。
图 3 展示了整个电流范围内的整体保护方案。该图还展示了如何从可编程选项中选择保险丝曲线,以满足导线保护要求,同时允许所有正常负载瞬态通过。
许多 ECU 即使在车辆处于驻车(熄火)状态时也需要供电。此外,为这些 ECU 供电的开关在开关处于导通状态时需要消耗极低的工作电流并提供少量负载电流。然而,在执行监控功能的同时,负载可能会在短时间内要求数十甚至数百 mA 的峰值电流(和低占空比)。配电开关的目标是在低静态电流模式下工作来提供峰值电流,并在负载需要超过峰值电流的电流时,切换到正常工作模式,然后将此情况发送给 MCU。
TPS2HCS10-Q1 器件旨在满足始终通电 (PAAT) 开关应用的所有这些关键要求。
完全可通过软件配置的器件具有一个显著优势,那就是可以进行定制来驱动 ECU 负载上的大容性负载。该器件可以配置为电容充电模式,当需要考虑电容值和并联电路中的负载电流消耗情况时,这是理想之选。该器件提供两种模式,一种是恒流充电模式,适用于在充电阶段有很大负载电流的情况;另一种是固定 dV/dt 速率充电模式,适用于需要以极低充电电流进行充电的超大容性负载。在任一种情况下,电子保险丝都能在可编程的充电时段里,将浪涌电流限制在一个较低值。图 5 展示了充电和负载电流驱动的行为表现。电容充电的所有参数,包括充电电流(或 dV/dt 速率)、充电持续时间和类型,均可通过 SPI 进行配置。
本文档重点介绍了新款 TPS2HCS10-Q1 的主要优势,该器件是完全可通过软件配置的先进智能高侧开关。该器件不仅有助于实现快速平台开发并缩短上市时间,同时还解决了从熔断型保险丝线束保护向半导体开关过渡时遇到的一些挑战。表 1 概述了这些功能的主要特性和系统优势。
特性 | TPS2HCSxx-Q1 集成式 FET 智能电子保险丝高侧开关 | 系统优势 |
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MCU 接口 | 可实现菊花式连接的 SPI HSS | 完全可通过软件配置(针对每个输出负载进行定制)。通过 SPI 即可实现最大负载和故障诊断功能,无需外部元件 |
低静态电流模式,系统唤醒 | 峰值电流能力高达 1A(熄火状态)和可编程唤醒阈值。两个通道都开启时电池电源 VBB 的 Iq 最大值小于每通道 10µA | 低 Iq 和更高的电流能力,无需外部元件或 FET。器件可以转换到低功耗模式,以降低活动状态下的电流消耗,并具有可编程的唤醒阈值。该器件会生成 WAKE_SIG,以在负载电流增加时唤醒 MCU。 |
电容充电 | 较慢的斜坡 dV/dt 或电流限制电容充电模式。可在恒流负载下提供高 (>2mF) 电容充电。 | 将负载配置为容性负载或执行器以及相关的浪涌曲线。对电容充电周期数没有限制。在完成初始配置后,无需 MCU 干预即可启用并计时充电模式 |
过流保护 | 过流保护阈值可通过 SPI 编程。双浪涌电流阈值。 | 降低短路期间的电源压降。设置阈值时无需使用外部元件。 |
I2t 过载保护 | 数字且可编程,无需外部元件(可变性更小) | 完全可编程的熔断时间-电流曲线和低可变性导线保护使线束更轻,而无需 MCU 参与。无需 MCU 监控多个通道的电流,简化了软件设计,同时即使 MCU 发生故障也能提供全面的保护。 |
用于增强功能安全的诊断功能 | 数字电流,VOUT,Vds 诊断 | 通过测量 VOUT/VDS ADC,更好地进行负载诊断。通过内置 ADC 实现非常精确的低电流检测,用于泄漏/开路负载诊断(使用偏移/泄漏修整功能)。无需外部元件即可进行开路负载/电源短路和 FET 短路故障检测。 |