ZHCAEC8 August   2024 TAC5111-Q1 , TAC5212-Q1 , TAC5311-Q1 , TAC5312-Q1 , TAC5411-Q1 , TAC5412-Q1 , TAD5212-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2信号处理链
  6. 3失真限制器
    1. 3.1 失真限制器参数
      1. 3.1.1 阈值最大值
      2. 3.1.2 阈值最小值
      3. 3.1.3 拐点
      4. 3.1.4 斜率
      5. 3.1.5 启动速率
      6. 3.1.6 释放速率
      7. 3.1.7 保持计数器
    2. 3.2 限制器响应
  7. 4欠压保护
    1. 4.1 欠压保护参数
      1. 4.1.1 临界电平
      2. 4.1.2 增益级别
      3. 4.1.3 启动速率
      4. 4.1.4 释放速率
      5. 4.1.5 保持计数器
    2. 4.2 欠压保护响应
  8. 5热折返
    1. 5.1 热折返参数
      1. 5.1.1 温度阈值
      2. 5.1.2 最大衰减阈值
      3. 5.1.3 斜率
      4. 5.1.4 启动系数
      5. 5.1.5 释放系数
      6. 5.1.6 保持计数器
        1. 5.1.6.1 热折返响应
  9. 6示例
  10. 7总结
  11. 8参考资料

拐点

拐点 设置失真限制器 开始将增益降低到阈值最大值 以下的 VBAT 电平。受监控的 VBAT 电平下降到拐点 以下的时间必须长于保持计数器。该阈值由 YRAM_LIM_INF_PT 系数控制。方程式 3 展示了如何根据所需电压值来计算参数。阈值范围为 0.01V 至 15V,支持以 1x10^-6V 的步长进行编程,其中 V 是电压 电平最大值(以伏特为单位)。

方程式 3. Y R A M _ L I M _ I N F _ P T   =   r o u n d ( V × 2 11 )

表 3-4 列出了对应于 YRAM_LIM_INF_PT 的寄存器。默认值 (0x0000199A) 对应于 3.2V。

表 3-4 用于拐点的可编程系数寄存器
系数 寄存器 复位值 说明
YRAM_LIM_INF_PT 0x19 0x74 0x00 RDAC2_SF1_BYT1[31:24]
YRAM_LIM_INF_PT 0x19 0x75 0x00 RDAC2_SF1_BYT2[23:16]
YRAM_LIM_INF_PT 0x19 0x76 0x00 RDAC2_SF1_BYT3[15:8]