ZHCAED0 August 2024 MCF8315C , MCF8315C-Q1 , MCF8316C-Q1
MCF831xC 器件具有集成电荷泵,可驱动高侧 (HS) FET。电荷泵需要两个外部电容器 — 一个是在 CPH 和 CPL 引脚之间的飞跨电容器,额定电容为 47nF(VM 电压的两倍),另一个是在 CP 和 VM 引脚之间的飞跨电容器,额定值为 1μF、16V。电荷泵输出 (CP) 仅用于内部电路,无法驱动任何外部负载(如用于反向阻断的高侧导通 FET 等)。