TPS2352x 具有两个电流限制阈值，如图 5-1 所示。这种双级保护方案可确保器件在低 VDS 条件下具有较高的电流限值，因此更有可能安然度过电压阶跃和其他瞬态，同时在高 VDS 条件下设置较低的电流限制阈值，因此在发生短路和热短路事件期间为 MOSFET 提供保护。转换阈值由热插拔 FET 漏极与 TPS23521 D 引脚之间连接的电阻器 R_D 进行编程。

TPS23521 的栅极拉电流能力因运行区域而异。例如，在高电流限制模式 (VDS < VDS,SW) 下，栅极拉电流为 400µA，而在高 VDS 区域为 20µA。这种高栅极电流有助于快速导通/关断外部 FET，从而在过压条件下以迟滞模式可靠地运行。考虑到 NEBS 标准 (图 1-2) 的 75V 输入瞬态峰值以及下游负载电压不超过 62.5V 的要求，我们已将 VDS,SW 设置为大于 12.5V（例如 75V – 62.5V）。因此，可根据方程式 3 选择电阻器 R_D。

图 5-1 TPS2352x 中的双电流限制