ZHCAEF4 September   2024 TMAG5233

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
    1. 1.1 簧片开关
    2. 1.2 霍尔效应传感器
    3. 1.3 隧道磁阻 (TMR) 传感器
  5. 2设计注意事项
    1. 2.1 技术复杂性和成本
    2. 2.2 灵敏度轴
      1. 2.2.1 霍尔效应开关
      2. 2.2.2 TMR 开关
      3. 2.2.3 簧片开关
    3. 2.3 机械限制
    4. 2.4 功耗
  6. 3总结
  7. 4参考资料

技术复杂性和成本

创建任何开关技术的复杂性直接影响传感器的尺寸和成本。

霍尔效应传感器可以小型化,并可轻松集成到现代半导体工艺中。因此,这些器件的制造和销售成本通常低于 TMR 或簧片开关。

簧片开关封装在玻璃管或其他密封外壳中,这种工艺的封装尺寸更大,也更昂贵。这些外壳可能很脆弱,这也增加了处理和安装成本,并且在使用过程中可能由于物理损坏而需要更换。

创建 TMR 传感器所涉及的复杂材料堆叠需要半导体制造流程中不常见的专用沉积设备,还需要增加磁化固定层的步骤。由于需要额外的工艺步骤和专用材料,TMR 本质上比霍尔效应传感器更昂贵。TMAG5233 等低功耗霍尔效应传感器可能是更实用的选择。