PVDD 引脚对应于内部升压转换器的输出。当输出功率级别高于 Y 桥阈值时，PVDD 引脚还用作驱动 D 类输出级的电源。

在将 PVDD 引脚布线到 PCB 上时需要考虑以下建议：

• 当输出功率级别超过 Y 桥阈值时，由于边沿速率较快，D 类输出级会从 PVDD 引脚汲取高开关电流。
• 当器件与升压转换器一起工作时，不得通过外部电路对该引脚施加负载。
• 为了更大限度地降低 PVDD 引脚上由于这些瞬态电流而产生的电压纹波，必须使用容值大于等于 2 x 22µF 或大于等于 3 x 10µF 的电容器旁路掉 PVDD 引脚。

  对于 PVDD<13V，旁路电容器可以减少到 2 x 10µF 或 1 x 22µF。

• 由于以下原因，该电容可能会出现一定程度的降额：
  • 容差
  • 接近最大 PVDD 电压的电压系数
• 在 13V 时，该降额电容必须至少为 3µF。
• 还需要使用 0.1µF 的低 ESL 电容器（ESL 必须小于等于 250pH）旁路掉 PVDD 引脚，以更大限度地减小从 PVDD 到 PGND 的环路电感。使用 0201 封装电容器来实现该旁路。必须将该低 ESL 电容器放置在尽可能靠近器件的位置。
• 需要将去耦电容器旁路至 PGND 引脚。在通过 PCB 地平面进行旁路时，请使用多个过孔（建议至少使用三个过孔），以尽可能减小旁路电容器上的地接头与器件的 PGND 引脚之间的寄生电感。
• 当在外部 PVDD 模式下工作时，PVDD 引脚需要使用能够承载高电流且具有低寄生电阻的宽引线连接到电源，以更大限度地减小 I²R 损耗。

图 3-3 PVDD 去耦电容器的放置

图 3-4 从 PVDD 进行的布线