ZHCAEJ6 September 2024 TAS2120 , TAS2320
表 5-1 总结了针对器件不同引脚的建议设计和布局实践。
| 部分 | 引脚或部分 | 最大寄生引线电感 (pH) | 建议指南 |
|---|---|---|---|
| 1 | VDD | 650 | 使用大于等于 2.2µF 的电容器进行去耦，将该电容器放置在尽可能靠近器件的位置 |
| 2 | PVDD | 600 | 使用 3 x 10µF 或 2 x 22µF 的电容器进行去耦，将该电容器放置在尽可能靠近器件的位置 |
| 需要将小型封装 0.1µF 电容器 (0201) 放置在最靠近器件的位置，该电容器具有极小的 ESL | |||
| 考虑 PVDD 电压导致的降额 | |||
| 具有高载流能力的宽引线 | |||
| 3 | GREG | 4000 | 使用 0.1μF 电容器进行去耦（连接至 PVDD 引脚） |
| 通过星型连接直接连接至 PVDD 引脚 | |||
| 4 | SW | 将电感器放置在尽可能靠近器件的位置 | |
| 宽引线可承载高电流并更大限度地降低对效率至关重要的寄生电阻（降低 I2R 损耗） | |||
| 使用靠近电感器、大于等于 10µF 的电容器进行去耦 | |||
| 更大限度地减小接地寄生电容以降低开关损耗 | |||
| 在外部 PVDD 模式下使引脚保持未连接状态 | |||
| 5 | VBAT | 950 | 使用星型连接直接连接至电源 |
| 使用大于等于 1µF 的电容器进行去耦，将该电容器放置在尽可能靠近器件的位置 | |||
| 5 | VBAT_SNS | 使用星型连接直接连接至电源 | |
| VBAT1S 模式下的可选连接，在未使用时接地 | |||
| 6 | OUT_P/OUT_N | 使用大于等于 1µF 的电容器进行去耦，将该电容器放置在尽可能靠近器件的位置 | |
| 能够承载高电流的宽引线 | |||
| 更大限度地减小接地寄生电容以降低开关损耗 | |||
| 7 | IOVDD | 如果所需 I/O 电源为 1.8V，则可以在器件引脚附近短接至 VDD。建议即使在短接时也使用 C2 和 C3 电容器，并将电容器放置在靠近 VDD 引脚的位置 | |
| 8 | DREG | 使用大于等于 1µF 的电容器进行去耦，将该电容器放置在尽可能靠近器件的位置 | |
| 9 | 数字 | 避免在 SW、OUT_P、OUT_N 等高压开关节点附近布线，以避免耦合 | |
| 10 | 接地 | 短接顶层的 BGND 或 PGND 引脚 | |
| 避免在 PGND 或 BGND 和 GND 引脚之间产生对接地平面的共模电感 | |||
| PCB 接地的总寄生电感对器件性能至关重要。使用多个过孔以更大限度地减小电感 | |||
| 11 | HW 选择引脚 | 将 HW 设置电阻尽可能靠近 IC 放置。电阻后的寄生电容无关紧要。 |