虽然控制器设计拥有设计灵活性，但这通常也意味着更高的设计复杂性，其中一个方面是 MOSFET 选择。MOSFET 的选择对控制器设计的性能有重大影响，并且必须考虑各种规格，包括：

• MOSFET 导通状态电阻或 RDS(on)，此规格决定功率损耗和热性能
• 寄生电容，此规格可缩短转换时间并降低开关损耗
• 栅极驱动器电压，控制器 IC 的额定值各不相同，并确定是否可以使用逻辑和/或标准 MOSFET

选择合适的功率 MOSFET 需要花费大量的时间和设计精力。表 5-1 是数据表中显示的典型表，其中概述了在为控制器设计选择 MOSFET 时必须考虑的所有功率损耗。转换器会跳过此设计流程，并能更好地表征其性能。

表 5-1 MOSFET 功率损耗

功率损耗模式	高侧 MOSFET	低侧 MOSFET
MOSFET 导通
MOSFET 开关		可忽略
MOSFET 栅极驱动
MOSFET 输出电荷		可忽略
体二极管 导通	不适用
体二极管 反向恢复