ZHCAEO8B March   2022  – November 2024 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1概述
    1. 1.1 支持的电路板设计
    2. 1.2 通用电路板布局布线指南
    3. 1.3 PCB 堆叠
    4. 1.4 旁路电容器
      1. 1.4.1 大容量旁路电容器
      2. 1.4.2 高速旁路电容器
      3. 1.4.3 返回电流旁路电容器
    5. 1.5 速度补偿
  5. 2DDR4 电路板设计和布局布线指南
    1. 2.1  DDR4 简介
    2. 2.2  受支持的 DDR4 器件的实现
    3. 2.3  DDR4 接口原理图
      1. 2.3.1 采用 16 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
      2. 2.3.2 采用 8 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
    4. 2.4  兼容的 JEDEC DDR4 器件
    5. 2.5  放置
    6. 2.6  DDR4 禁止区域
    7. 2.7  DBI
    8. 2.8  VPP
    9. 2.9  网类别
    10. 2.10 DDR4 信号端接
    11. 2.11 VREF 布线
    12. 2.12 VTT
    13. 2.13 POD 互连
    14. 2.14 CK 和 ADDR_CTRL 拓扑与布线指南
    15. 2.15 数据组拓扑与布线指南
    16. 2.16 CK 和 ADDR_CTRL 布线规格
      1. 2.16.1 CACLM - 时钟地址控制最大曼哈顿距离
      2. 2.16.2 CK 和 ADDR_CTRL 布线限值
    17. 2.17 数据组布线规格
      1. 2.17.1 DQLM - DQ 最大曼哈顿距离
      2. 2.17.2 数据组布线限值
    18. 2.18 位交换
      1. 2.18.1 数据位交换
      2. 2.18.2 地址和控制位交换
  6. 3LPDDR4 电路板设计和布局布线指南
    1. 3.1  LPDDR4 简介
    2. 3.2  受支持的 LPDDR4 器件的实现
    3. 3.3  LPDDR4 接口原理图
    4. 3.4  兼容的 JEDEC LPDDR4 器件
    5. 3.5  放置
    6. 3.6  LPDDR4 禁止区域
    7. 3.7  LPDDR4 DBI
    8. 3.8  网类别
    9. 3.9  LPDDR4 信号端接
    10. 3.10 LPDDR4 VREF 布线
    11. 3.11 LPDDR4 VTT
    12. 3.12 CK0 和 ADDR_CTRL 拓扑
    13. 3.13 数据组拓扑
    14. 3.14 CK0 和 ADDR_CTRL 布线规格
    15. 3.15 数据组布线规格
    16. 3.16 字节和位交换
  7. 4LPDDR4 电路板设计仿真
    1. 4.1 电路板模型提取
    2. 4.2 电路板模型验证
    3. 4.3 S 参数检查
    4. 4.4 时域反射法 (TDR) 分析
    5. 4.5 系统级仿真
      1. 4.5.1 仿真设置
      2. 4.5.2 仿真参数
      3. 4.5.3 仿真目标
        1. 4.5.3.1 眼图质量
        2. 4.5.3.2 延迟报告
        3. 4.5.3.3 模板报告
    6. 4.6 设计示例
      1. 4.6.1 堆叠
      2. 4.6.2 布线
      3. 4.6.3 模型验证
      4. 4.6.4 仿真结果
  8. 5附录：AM62x ALW 和 AMC 封装延迟
  9. 6修订历史记录

4.6.2 布线

以下 J7 设计示例显示了 10 层 PCB 设计示例上的 LPDDR4 时钟和 CA 布线。时钟以 70Ω 的目标阻抗进行差分布线。为了使 T 分支与布线阻抗相匹配，阻抗需要加倍。这会带来挑战，因为在某些 PCB 堆叠中可能难以实现较高的阻抗。CA 信号的布线目标为 35Ω，T 分支的目标为源阻抗的两倍。

LPDDR4 时钟和 CA 布线示例 图 4-7 LPDDR4 时钟和 CA 布线示例

在同一个 10 层参考设计中，数据组在第 2 层和第 4 层上布线。由于具有最小过孔行程，使用了上部的层，从而更大限度降低了过孔电感和过孔之间的耦合。数据信号是点对点的，因此不需要 T 分支布线。

LPDDR4 数据字节和 DQS 布线示例 图 4-8 LPDDR4 数据字节和 DQS 布线示例
表 4-8 LPDDR4 性能对布线层的影响（在焊盘上读取）
布线层 过孔类型 背钻 EW 裕量 (ps) EH 裕量 (mV)
L1、L12 PTH 否 -7.10 56.72
L1、L12 PTH 是 -4.86 55.71
L1、L3 PTH 否 5.70 40.29
L1、L3 PTH 是 8.37 34.54
表 4-9 LPDDR4 性能对布线层的影响（在焊盘上写入）
布线层 过孔类型 背钻 EW 裕量 (ps) EH 裕量 (mV)
L1、L12 PTH 否 17.42 39.22
L1、L12 PTH 是 20.04 41.93
L1、L3 PTH 否 27.66 41.37
L1、L3 PTH 是 27.76 48.63
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