ZHCAEO8B March   2022  – November 2024 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1概述
    1. 1.1 支持的电路板设计
    2. 1.2 通用电路板布局布线指南
    3. 1.3 PCB 堆叠
    4. 1.4 旁路电容器
      1. 1.4.1 大容量旁路电容器
      2. 1.4.2 高速旁路电容器
      3. 1.4.3 返回电流旁路电容器
    5. 1.5 速度补偿
  5. 2DDR4 电路板设计和布局布线指南
    1. 2.1  DDR4 简介
    2. 2.2  受支持的 DDR4 器件的实现
    3. 2.3  DDR4 接口原理图
      1. 2.3.1 采用 16 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
      2. 2.3.2 采用 8 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
    4. 2.4  兼容的 JEDEC DDR4 器件
    5. 2.5  放置
    6. 2.6  DDR4 禁止区域
    7. 2.7  DBI
    8. 2.8  VPP
    9. 2.9  网类别
    10. 2.10 DDR4 信号端接
    11. 2.11 VREF 布线
    12. 2.12 VTT
    13. 2.13 POD 互连
    14. 2.14 CK 和 ADDR_CTRL 拓扑与布线指南
    15. 2.15 数据组拓扑与布线指南
    16. 2.16 CK 和 ADDR_CTRL 布线规格
      1. 2.16.1 CACLM - 时钟地址控制最大曼哈顿距离
      2. 2.16.2 CK 和 ADDR_CTRL 布线限值
    17. 2.17 数据组布线规格
      1. 2.17.1 DQLM - DQ 最大曼哈顿距离
      2. 2.17.2 数据组布线限值
    18. 2.18 位交换
      1. 2.18.1 数据位交换
      2. 2.18.2 地址和控制位交换
  6. 3LPDDR4 电路板设计和布局布线指南
    1. 3.1  LPDDR4 简介
    2. 3.2  受支持的 LPDDR4 器件的实现
    3. 3.3  LPDDR4 接口原理图
    4. 3.4  兼容的 JEDEC LPDDR4 器件
    5. 3.5  放置
    6. 3.6  LPDDR4 禁止区域
    7. 3.7  LPDDR4 DBI
    8. 3.8  网类别
    9. 3.9  LPDDR4 信号端接
    10. 3.10 LPDDR4 VREF 布线
    11. 3.11 LPDDR4 VTT
    12. 3.12 CK0 和 ADDR_CTRL 拓扑
    13. 3.13 数据组拓扑
    14. 3.14 CK0 和 ADDR_CTRL 布线规格
    15. 3.15 数据组布线规格
    16. 3.16 字节和位交换
  7. 4LPDDR4 电路板设计仿真
    1. 4.1 电路板模型提取
    2. 4.2 电路板模型验证
    3. 4.3 S 参数检查
    4. 4.4 时域反射法 (TDR) 分析
    5. 4.5 系统级仿真
      1. 4.5.1 仿真设置
      2. 4.5.2 仿真参数
      3. 4.5.3 仿真目标
        1. 4.5.3.1 眼图质量
        2. 4.5.3.2 延迟报告
        3. 4.5.3.3 模板报告
    6. 4.6 设计示例
      1. 4.6.1 堆叠
      2. 4.6.2 布线
      3. 4.6.3 模型验证
      4. 4.6.4 仿真结果
  8. 5附录:AM62x ALW 和 AMC 封装延迟
  9. 6修订历史记录

电路板模型提取

注: 本节包含来自 J7 器件和电路板设计的各种信息。具体细节仅适用于 J7 电路板设计,但此处提供了 AM62x 电路板设计示例。器件规格请查阅 AM62x 数据表。

下列板级提取指导原则适用于任何 EDA 提取工具,而非特定的工具。在完成检验标准模型提取之后,务必立即执行节 4.2节 4.4中概述的步骤。运行 IBIS 仿真之前,应执行这些步骤来检查设计。

  1. 对于 DDR 提取,应在 3D-EM 求解器中同时提取电源 (VDDS_DDR/VDDQ) 和信号网。
  2. 使用宽带模型。建议提取频率范围为直流到至少 6 倍的奈奎斯特频率(例如,对于 LPDDR4-3733,提取模型的频率上限至少为 11.2GHz)。
  3. 检查电路板堆叠,以获取准确的层厚度和材料特性。
    1. 建议使用 Djordjevic-Sarkar 模型进行电介质材料定义。
  4. 对堆叠中所有层的信号布线使用准确的蚀刻剖面和表面粗糙度。
  5. 如果在提取之前切断电路板布局布线(以减少仿真时间),请在离信号和电源网至少 0.25 英寸的位置定义切断边界。
  6. 检查过孔焊盘定义。
    1. 确保信号过孔上非功能性内层焊盘的建模方式与其制造方式相同。
    2. TI 不建议在信号过孔上使用这些非功能性内层焊盘。
  7. 使用 Spice/S 参数模型(供应商通常会提供)对系统内的所有无源器件进行建模。