通过连接 SOC IBIS 模型、电路板模型、电源、DRAM 封装模型和 DRAM IBIS 模型，在仿真器中建立系统级原理图。图 4-2所示为典型的系统级 DDR 原理图。

图 4-2 典型的系统级 DDR 原理图

• LPDDR4 仿真需要针对控制器和存储器的功率感知 IBIS 模型以及支持 DDR 接口通道仿真的仿真器。
• 基于 SPICE 的晶体管级仿真不能用于生成 BER 信号眼图。使用可以处理功率感知 IBIS 仿真并能够为 DDR 接口运行通道仿真的仿真器。
• 与基于 SPICE 的晶体管级仿真相比，IBIS 模型减少了仿真时间，同时精度损失极小。从 5.0 版开始的 IBIS 模型是功率感知模型，可实现同步开关输出 (SSO) 噪声仿真。TI IBIS 模型是一种功率感知 IBIS 模型。
• 使用 SPICE 模型对控制器和 DRAM 的 DDR 电源网上的片上去耦电容进行准确建模。这可以确保在 DDR 仿真中实现准确的电源噪声和电源引起的抖动 (PSIJ) 估算。可以从 DRAM 供应商处获得 DRAM 的片上去耦电容信息。
• 使用 SPICE 或 S 参数文件对 DRAM 封装进行建模。这可以从 DRAM 供应商处索取。不建议使用 EBD 模型。
• 请注意，SoC IBIS 模型中有一个包含 RLC 矩阵的封装部分，用于所有信号和电源网（包括 DDR）。建议使用 SoC IBIS 模型，而不是 SOC 封装 S 参数模型。使用 SoC IBIS 模型时，请确保检查“封装寄生效应”（或仿真工具中的等效参数），并使用“封装模型”模型类型，其中包含基于每个引脚的全耦合 L/C 信息（在 IBIS 文件中表示为“[封装模型] am62_pkg”）。
• DDR 电源网上的片上去耦电容的 AM62x 模型：
  • 数据

    ******************************************
    * On-die Decoupling circuit for AM62x (DIE_VDDS_DDR to VSS)
    ******************************************
    * Notes:
    * Includes on-die decoupling for all DDR signals 
    *
    * This subcircuit should be added across the AM62x IBIS model's
    * DIE_VDDS_DDR and VSS pins
    *
    ******************************************
    * x_decouple DIE_VDDS_DDR vss_die AM62x_ondie_decoupling_alldq
    ******************************************
    .SUBCKTAM62x_ondie_decoupling_alldq DIE_VDDS_DDR vss_die
    Cvddq_c  DIE_VDDS_DDR DIE_VDDS_DDR_c 1.324741e-9
    Rvddq_c  vss_die DIE_VDDS_DDR_c 25.0036612e-3
    .ENDS

  • 地址/命令

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    * On-die Decoupling circuit for AM62x (DIE_VDDS_DDR to VSS)
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    * Notes:
    * Includes on-die decoupling for all DDR signals 
    *
    * This subcircuit should be added across the AM62x IBIS model's
    * DIE_VDDS_DDR and VSS pins
    *
    ******************************************
    * x_decouple DIE_VDDS_DDR vss_die AM62x_ondie_decoupling_alldq
    ******************************************
    .SUBCKTAM62x_ondie_decoupling_alldq DIE_VDDS_DDR vss_die
    Cvddq_c  DIE_VDDS_DDR DIE_VDDS_DDR_c 4.335517e-9
    Rvddq_c  vss_die DIE_VDDS_DDR_c 25.0036612e-3
    .ENDS