ZHCAEO8B March 2022 – November 2024 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1
DDR 接口布线最少为六层堆叠。不过,这只能在所含布线空间具有较大禁止区域的电路板上完成。如果出现以下情况,则需要使用额外的层:
相对密集的电路板设计需要 10 层或以上才能正确实现 DDR 布线,从而满足所有规则。
频率成分最高的 DDR 信号(例如数据或时钟)必须在实心 VSS 参考平面附近布线。频率成分较低的信号(例如地址)可以在实心 VSS 或实心 VDDS_DDR 参考平面附近布线。如果使用 VDDS_DDR 参考平面,则必须在每条布线两端附近实现旁路电容器,以便为这些布线提供低电感交流接地路径。类似地,当 DDR 布线区域中存在多个 VSS 参考平面时,必须在特定位置实现拼接过孔,从而使过孔在拼接过孔附近将信号传输至不同的 VSS 参考平面。这是维持低电感返回电流路径所必需的。
强烈建议将所有 DDR 信号作为带状线进行布线。某些 PCB 堆叠在两个相邻的层上实现了信号布线。只有这些层上的布线是垂直的并且不支持电路板侧耦合,这才可接受。如果与相邻层上的另一条迹线平行布线,则会发生严重串扰,即使距离很短也会如此。另外,只有实现非对称带状线布线时,即相邻布线层之间的距离超过相邻参考平面上迹线距离的 3 倍时,才可以在两个相邻层上实现 DDR 信号布线。
编号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|
PS1 | PCB 布线加平面层 | 6 | |||
PS2 | 信号布线层 | 3 | |||
PS3 | DDR 布线区域下的完整 VSS 参考层 (1) | 1 | |||
PS4 | DDR 布线区域下的完整 VDDS_DDR 电源参考层 (1) | 1 | |||
PS5 | DDR 布线区域内允许的参考平面切口数 (2) | 0 | |||
PS6 | DDR 布线层和参考平面之间的层数 (3) | 0 | |||
PS7 | PCB 布线特征尺寸 | 4 | Mil | ||
PS8 | PCB 布线宽度 (w) | 4 | Mil | ||
PS9 | 单端阻抗 | 40 | Ω | ||
PS10 | 差分阻抗 | 80 | Ω | ||
PS11 | 阻抗控制 (4) | Z-10% | Z | Z+10% | Ω |