需要使用大容量旁路电容器以实现 DDR SDRAM 和其他电路的中速旁路。表 1-2 包含所需大容量旁路电容器的最小数量和最小电容。表 1-2 仅满足 SoC 的 DDR PHY 的旁路需求。其他电路可能需要额外的大容量旁路电容。有关 SDRAM 器件的任何其他去耦要求，请参阅制造商数据表
表 1-2 大容量旁路电容器| 编号 | 参数 | 最小值 (2) | 最大值 | 单位 |
|---|
| 1 | VDDS_DDR 大容量旁路电容器数量 (1) | 1 | | 器件 |
| 2 | VDDS_DDR 大容量旁路总电容 | 22 | | µF |
(1) 这些电容器应放置在其要旁路的器件附近，但应优先放置高速 (HS) 旁路电容器和 DDR 信号线路。
(2) 本指南中的电容器建议仅反映该处理器的需求。有关如何适当放置存储器器件自身的去耦电容器，请参阅存储器件供应商的指南。