ZHCS055C May   2011  – January 2023 TLV1117LV

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. Revision History
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Internal Current Limit
      2. 7.3.2 Dropout Voltage
      3. 7.3.3 Undervoltage Lockout
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Normal Operation
      2. 7.4.2 Dropout Operation
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 8.2.2.2 Transient Response
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Best Design Practices
    4. 8.4 Power Supply Recommendations
    5. 8.5 Layout
      1. 8.5.1 Layout Guidelines
        1. 8.5.1.1 Thermal Protection
        2. 8.5.1.2 Power Dissipation
      2. 8.5.2 Layout Example
  9. Device and Documentation Support
    1. 9.1 Device Support
      1. 9.1.1 Development Support
        1. 9.1.1.1 Evaluation Module
        2. 9.1.1.2 Spice Models
      2. 9.1.2 Device Nomenclature
    2. 9.2 Documentation Support
      1. 9.2.1 Related Documentation
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 Trademarks
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  10. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

说明

TLV1117LV 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 TLV1117 稳压器的低输入电压版本。

TLV1117LV 是一款静态电流比传统 1117 稳压器低 500 倍的超低功耗器件,非常适合专为需要超低待机电流的应用而设计的器件。TLV1117LV LDO 还可在 0mA 负载电流下保持稳定;没有最低负载要求,这使得此器件非常适合于必须在待机时为极小负载供电,同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。TLV1117LV 可提供出色的线路与负载瞬态性能,从而可在负载电流要求由不足 1mA 变为超过 500mA 时产生幅值极低的下冲与过冲输出电压。

高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。凭借超高电源抑制比 (PSRR),该器件适用于开关稳压器的后稳压操作。其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。

该器件可通过内部补偿,在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。此外,在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。

TLV1117LV 采用 SOT-223 封装。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(标称值)
TLV1117LV DCY(SOT-223,4) 6.50mm × 3.50mm
如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
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