ZHCSE98K October 2014 – February 2024 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076
PRODUCTION DATA
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|
编程时间(1) | 128 数据位 + 16 ECC 位 | 40 | 300 | µs | ||
8KW 扇区 | 100 | 200 | ms | |||
32KW 扇区 | 400 | 800 | ms | |||
擦除时间(2)(< 25 个周期) | 8kW 或 32KW 扇区 | 30 | 55 | ms | ||
擦除时间(2)(< 1000 个周期) | 8kW 或 32KW 扇区 | 40 | 350 | |||
擦除时间(2)2000 个周期) | 8kW 或 32KW 扇区 | 50 | 600 | ms | ||
20k 周期下的擦除时间(2) | 8kW 或 32KW 扇区 | 110 | 4000 | |||
Nwec | 写入/擦除周期(每个扇区) | 20000 | 周期 | |||
Nwec | 写入/擦除周期,适用于整个闪存(合并所有扇区)(3) | 100000 | 周期 | |||
tretention | 数据保留持续时间 (TJ = 85°C) | 20 | 年 |
主阵列闪存编程必须与 64 位地址边界对齐,并且每个 64 位字在每个写/擦除周期只能编程一次。有关更多详细信息,请参阅TMS320F2807x 实时 MCU 器件勘误表 中的“闪存:最小编程字大小”公告。