ZHCSG16A January   2017  – May 2017 LMK61E0M

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics - Power Supply
    6. 6.6  3.3-V LVCMOS Output Characteristics
    7. 6.7  OE Input Characteristics
    8. 6.8  ADD Input Characteristics
    9. 6.9  Frequency Tolerance Characteristics
    10. 6.10 Frequency Margining Characteristics
    11. 6.11 Power-On/Reset Characteristics (VDD)
    12. 6.12 I2C-Compatible Interface Characteristics (SDA, SCL)
    13. 6.13 Other Characteristics
    14. 6.14 PLL Clock Output Jitter Characteristics
    15. 6.15 Additional Reliability and Qualification
    16. 6.16 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Device Output Configurations
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1  Device Block-Level Description
      2. 8.3.2  Device Configuration Control
      3. 8.3.3  Register File Reference Convention
      4. 8.3.4  Configuring the PLL
      5. 8.3.5  Integrated Oscillator
      6. 8.3.6  Reference Divider and Doubler
      7. 8.3.7  Phase Frequency Detector
      8. 8.3.8  Feedback Divider (N)
      9. 8.3.9  Fractional Engine
      10. 8.3.10 Charge Pump
      11. 8.3.11 Loop Filter
      12. 8.3.12 VCO Calibration
      13. 8.3.13 High-Speed Output Divider
      14. 8.3.14 High-Speed Clock Output
      15. 8.3.15 Device Status
        1. 8.3.15.1 Loss of Lock
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Interface and Control
      2. 8.4.2 DCXO Mode and Frequency Margining
        1. 8.4.2.1 DCXO Mode
        2. 8.4.2.2 Fine Frequency Margining
        3. 8.4.2.3 Coarse Frequency Margining
    5. 8.5 Programming
      1. 8.5.1 I2C Serial Interface
      2. 8.5.2 Block Register Write
      3. 8.5.3 Block Register Read
      4. 8.5.4 Write SRAM
      5. 8.5.5 Write EEPROM
      6. 8.5.6 Read SRAM
      7. 8.5.7 Read EEPROM
    6. 8.6 Register Maps
      1. 8.6.1 Register Descriptions
        1. 8.6.1.1  VNDRID_BY1 Register; R0
        2. 8.6.1.2  VNDRID_BY0 Register; R1
        3. 8.6.1.3  PRODID Register; R2
        4. 8.6.1.4  REVID Register; R3
        5. 8.6.1.5  SLAVEADR Register; R8
        6. 8.6.1.6  EEREV Register; R9
        7. 8.6.1.7  DEV_CTL Register; R10
        8. 8.6.1.8  XO_CAPCTRL_BY1 Register; R16
        9. 8.6.1.9  XO_CAPCTRL_BY0 Register; R17
        10. 8.6.1.10 CMOSCTL Register; R20
        11. 8.6.1.11 DIFFCTL Register; R21
        12. 8.6.1.12 OUTDIV_BY1 Register; R22
        13. 8.6.1.13 OUTDIV_BY0 Register; R23
        14. 8.6.1.14 RDIVCMOSCTL Register; R24
        15. 8.6.1.15 PLL_NDIV_BY1 Register; R25
        16. 8.6.1.16 PLL_NDIV_BY0 Register; R26
        17. 8.6.1.17 PLL_FRACNUM_BY2 Register; R27
        18. 8.6.1.18 PLL_FRACNUM_BY1 Register; R28
        19. 8.6.1.19 PLL_FRACNUM_BY0 Register; R29
        20. 8.6.1.20 PLL_FRACDEN_BY2 Register; R30
        21. 8.6.1.21 PLL_FRACDEN_BY1 Register; R31
        22. 8.6.1.22 PLL_FRACDEN_BY0 Register; R32
        23. 8.6.1.23 PLL_MASHCTRL Register; R33
        24. 8.6.1.24 PLL_CTRL0 Register; R34
        25. 8.6.1.25 PLL_CTRL1 Register; R35
        26. 8.6.1.26 PLL_LF_R2 Register; R36
        27. 8.6.1.27 PLL_LF_C1 Register; R37
        28. 8.6.1.28 PLL_LF_R3 Register; R38
        29. 8.6.1.29 PLL_LF_C3 Register; R39
        30. 8.6.1.30 PLL_CALCTRL Register; R42
        31. 8.6.1.31 NVMSCRC Register; R47
        32. 8.6.1.32 NVMCNT Register; R48
        33. 8.6.1.33 NVMCTL Register; R49
        34. 8.6.1.34 MEMADR Register; R51
        35. 8.6.1.35 NVMDAT Register; R52
        36. 8.6.1.36 RAMDAT Register; R53
        37. 8.6.1.37 NVMUNLK Register; R56
        38. 8.6.1.38 INT_LIVE Register; R66
        39. 8.6.1.39 SWRST Register; R72
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 PLL Loop Filter Design
        2. 9.2.2.2 Spur Mitigation Techniques
          1. 9.2.2.2.1 Phase Detection Spur
          2. 9.2.2.2.2 Integer Boundary Fractional Spur
          3. 9.2.2.2.3 Primary Fractional Spur
          4. 9.2.2.2.4 Sub-Fractional Spur
        3. 9.2.2.3 Device Programming
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
      1. 11.1.1 Ensured Thermal Reliability
      2. 11.1.2 Best Practices for Signal Integrity
      3. 11.1.3 Recommended Solder Reflow Profile
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 社区资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

12 器件和文档支持

12.1 文档支持

12.1.1 相关文档

请参阅如下相关文档：

12.2 接收文档更新通知

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12.3 社区资源

下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。

    TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在 e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
    设计支持 TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。

12.4 商标

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

12.5 静电放电警告

esds-image

ESD 可能会损坏该集成电路。米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可能会损坏集成电路。

ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

12.6 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
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