ZHCSG16A January   2017  – May 2017 LMK61E0M

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics - Power Supply
    6. 6.6  3.3-V LVCMOS Output Characteristics
    7. 6.7  OE Input Characteristics
    8. 6.8  ADD Input Characteristics
    9. 6.9  Frequency Tolerance Characteristics
    10. 6.10 Frequency Margining Characteristics
    11. 6.11 Power-On/Reset Characteristics (VDD)
    12. 6.12 I2C-Compatible Interface Characteristics (SDA, SCL)
    13. 6.13 Other Characteristics
    14. 6.14 PLL Clock Output Jitter Characteristics
    15. 6.15 Additional Reliability and Qualification
    16. 6.16 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Device Output Configurations
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1  Device Block-Level Description
      2. 8.3.2  Device Configuration Control
      3. 8.3.3  Register File Reference Convention
      4. 8.3.4  Configuring the PLL
      5. 8.3.5  Integrated Oscillator
      6. 8.3.6  Reference Divider and Doubler
      7. 8.3.7  Phase Frequency Detector
      8. 8.3.8  Feedback Divider (N)
      9. 8.3.9  Fractional Engine
      10. 8.3.10 Charge Pump
      11. 8.3.11 Loop Filter
      12. 8.3.12 VCO Calibration
      13. 8.3.13 High-Speed Output Divider
      14. 8.3.14 High-Speed Clock Output
      15. 8.3.15 Device Status
        1. 8.3.15.1 Loss of Lock
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Interface and Control
      2. 8.4.2 DCXO Mode and Frequency Margining
        1. 8.4.2.1 DCXO Mode
        2. 8.4.2.2 Fine Frequency Margining
        3. 8.4.2.3 Coarse Frequency Margining
    5. 8.5 Programming
      1. 8.5.1 I2C Serial Interface
      2. 8.5.2 Block Register Write
      3. 8.5.3 Block Register Read
      4. 8.5.4 Write SRAM
      5. 8.5.5 Write EEPROM
      6. 8.5.6 Read SRAM
      7. 8.5.7 Read EEPROM
    6. 8.6 Register Maps
      1. 8.6.1 Register Descriptions
        1. 8.6.1.1  VNDRID_BY1 Register; R0
        2. 8.6.1.2  VNDRID_BY0 Register; R1
        3. 8.6.1.3  PRODID Register; R2
        4. 8.6.1.4  REVID Register; R3
        5. 8.6.1.5  SLAVEADR Register; R8
        6. 8.6.1.6  EEREV Register; R9
        7. 8.6.1.7  DEV_CTL Register; R10
        8. 8.6.1.8  XO_CAPCTRL_BY1 Register; R16
        9. 8.6.1.9  XO_CAPCTRL_BY0 Register; R17
        10. 8.6.1.10 CMOSCTL Register; R20
        11. 8.6.1.11 DIFFCTL Register; R21
        12. 8.6.1.12 OUTDIV_BY1 Register; R22
        13. 8.6.1.13 OUTDIV_BY0 Register; R23
        14. 8.6.1.14 RDIVCMOSCTL Register; R24
        15. 8.6.1.15 PLL_NDIV_BY1 Register; R25
        16. 8.6.1.16 PLL_NDIV_BY0 Register; R26
        17. 8.6.1.17 PLL_FRACNUM_BY2 Register; R27
        18. 8.6.1.18 PLL_FRACNUM_BY1 Register; R28
        19. 8.6.1.19 PLL_FRACNUM_BY0 Register; R29
        20. 8.6.1.20 PLL_FRACDEN_BY2 Register; R30
        21. 8.6.1.21 PLL_FRACDEN_BY1 Register; R31
        22. 8.6.1.22 PLL_FRACDEN_BY0 Register; R32
        23. 8.6.1.23 PLL_MASHCTRL Register; R33
        24. 8.6.1.24 PLL_CTRL0 Register; R34
        25. 8.6.1.25 PLL_CTRL1 Register; R35
        26. 8.6.1.26 PLL_LF_R2 Register; R36
        27. 8.6.1.27 PLL_LF_C1 Register; R37
        28. 8.6.1.28 PLL_LF_R3 Register; R38
        29. 8.6.1.29 PLL_LF_C3 Register; R39
        30. 8.6.1.30 PLL_CALCTRL Register; R42
        31. 8.6.1.31 NVMSCRC Register; R47
        32. 8.6.1.32 NVMCNT Register; R48
        33. 8.6.1.33 NVMCTL Register; R49
        34. 8.6.1.34 MEMADR Register; R51
        35. 8.6.1.35 NVMDAT Register; R52
        36. 8.6.1.36 RAMDAT Register; R53
        37. 8.6.1.37 NVMUNLK Register; R56
        38. 8.6.1.38 INT_LIVE Register; R66
        39. 8.6.1.39 SWRST Register; R72
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 PLL Loop Filter Design
        2. 9.2.2.2 Spur Mitigation Techniques
          1. 9.2.2.2.1 Phase Detection Spur
          2. 9.2.2.2.2 Integer Boundary Fractional Spur
          3. 9.2.2.2.3 Primary Fractional Spur
          4. 9.2.2.2.4 Sub-Fractional Spur
        3. 9.2.2.3 Device Programming
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
      1. 11.1.1 Ensured Thermal Reliability
      2. 11.1.2 Best Practices for Signal Integrity
      3. 11.1.3 Recommended Solder Reflow Profile
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 社区资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

1 特性

  • 超低噪声、高性能
    • 抖动：500fs RMS 典型值（在 LMK61E0M 上，fOUT > 50 MHz）
  • LMK61E0M 支持高达 200MHz 的 3.3V LVCMOS 输出
  • 总频率容差：±25ppm
  • 系统级 特性
    • 无毛刺频率裕量：与标称值相差最多 ±1000ppm
    • 内部 EEPROM：用户可配置的启动设置
  • 其他 特性
    • 器件控制：快速模式 I2C 高达 1000kHz
    • 3.3V 工作电压
    • 工业温度范围（-40ºC 至 +85ºC）
    • 7mm × 5mm 8 引脚封装
  • 默认频率：70.656MHz

2 应用

  • 晶体振荡器、SAW 振荡器或芯片振荡器的高性能替代米6体育平台手机版_好二三四
  • 开关、路由器、网卡、基带装置 (BBU)、服务器、存储/SAN
  • 测试和测量
  • 医疗成像
  • FPGA，处理器连接
  • xDSL，广播视频

3 说明

LMK61E0 系列超低抖动 PLLatinumTM 可编程振荡器使用分数 N 频率合成器与集成 VCO 来生成常用的参考时钟。LMK61E0M 支持 3.3V LVCMOS 输出。该器件 具有 从片上 EEPROM 自启动的功能以便产生出厂设置的默认输出频率，或者可通过 I2C 串行接口在系统中对器件寄存器和 EEPROM 设置进行完全编程。该器件通过 I2C 串行接口提供精细和粗糙的频率裕量控制，因此成为一种数控振荡器 (DCXO)。

您可以更新 PLL 反馈分频器，从而使用 12.5MHz 的 PFD（R 分频器=4，禁用倍频器）以小于 1ppb 的步进值进行无峰值或毛刺的输出频率调节以符合 xDSL 要求，或使用 100MHz 的 PFD（R 分频器=1，启用倍频器）以小于 5.2ppb 的步进值进行此调节以符合广播视频要求。频率裕量 特性 也有利于进行系统设计验证测试 (DVT)，如标准合规性和系统时序裕量测试。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
LMK61E0M QFM (8) 7.00mm x 5.00mm
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅米6体育平台手机版_好二三四说明书末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

引脚分布和简化框图

LMK61E0M pinout_functional_block_diagram_snas692.gif
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