7.4.9 PD 热插拔运行

IEEE802.3bt 新增了有关 3 型和 4 型运行模式的 PSE 输出限制要求以便涵盖更高功率的应用和 4 线对 应用。2 型、3 型和 4 型 PSE 必须符合已指定最小和最大拉电流边界的输出电流与时间关系模板。每个 2 线对的峰值输出电流可能高达 50A（持续 10μs）或 1.75A（持续 75ms），而通过 4 线对输电时，总峰值电流将是这些值的两倍。因此，相对于 IEEE 802.3-2012，该标准更加需要对 PD 设备进行可靠保护。

内部热插拔 MOSFET 借助限流和抗尖峰脉冲式（延时滤波式）折返功能来防止输出故障和输入电压阶跃。导通 MOSFET 出现过载时将触发限流功能，结果使 V_(RTN-VSS) 上升。如果 V_(RTN-VSS) 上升到大约 14.5V 以上且持续时间超过大约 1.65ms，则电流限值将恢复到浪涌值，并且 PG 输出端被强制为低电平，从而关闭转换器，但这种情况下没有适用的最小浪涌延迟周期 (81.5ms)。1.65ms 抗尖峰脉冲功能可防止瞬变使 PD 复位，但前提是恢复处于热插拔和 PSE 保护范围内。Figure 28 显示了 V_DD 至 RTN 短路期间的 RTN 电流曲线示例（使用 5 欧姆负载阻抗）。热插拔 MOSFET 将进入电流限制范围，导致 RTN 电压升高。一旦 V_RTN 超过 14.5V，被钳位到电流限值的 I_RTN 将在 1.65ms 后下降到浪涌电流限值水平。

当 V_(VDD-VSS) 下降到 UVLO 下方之后又上升到其上方时，也会重新建立浪涌电流限值。

Figure 28. 对 PD 输出短路的响应

PD 控制器具有热传感器，可用于保护内部热插拔 MOSFET、启动电流源和 MPS 脉冲电流驱动器。启动状态或 V_DD 至 RTN 短路等状态会在 MOSFET 中引起高功耗。过热关断 (OTSD) 功能会关闭热插拔 MOSFET、类别稳压器、启动电流源和 MPS 驱动器，它们将在器件冷却后重新启动。过热事件消失后，热插拔 MOSFET 将被重新启用，且 TPS2373 将恢复到浪涌阶段。在供电运行期间将 DEN 拉至 VSS 会导致内部热插拔 MOSFET 关闭。此特性允许 PD 使用Figure 29 所示的 ORing 方案三来实现适配器优先级。

在以下情况下将强制关闭热插拔开关：

1. V_APD 高于 V_APDEN（大约为 1.65V），
2. V_{(DEN –VSS)} < V_PD-DIS（当 V_(VDD-VSS) 处于运行范围内时），
3. PD 过热，或
4. V_{(VDD –VSS)} < PoE UVLO 下降阈值（大约为 32V）。