ZHCSGW2G April 2017 – July 2024 DRV5032
PRODUCTION DATA
DRV5032 器件对垂直于封装顶部的磁场分量敏感(如图 7-1 所示)。
在该数据表中,从封装底部到顶部的磁通量被认为是正的。当南磁极靠近封装顶部时,就会出现这种情况。从封装顶部到底部的磁通量会产生负毫特斯拉值。