ZHCSGW2G April   2017  – July 2024 DRV5032

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 磁特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 磁通量方向
      2. 7.3.2 器件版本比较
        1. 7.3.2.1 磁性阈值
        2. 7.3.2.2 磁响应
        3. 7.3.2.3 输出类型
        4. 7.3.2.4 采样率
      3. 7.3.3 霍尔元件位置
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输出类型权衡
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 通用磁感应
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 三位置开关
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

磁通量方向

DRV5032 器件对垂直于封装顶部的磁场分量敏感(如图 7-1 所示)。

DRV5032 灵敏度方向图 7-1 灵敏度方向

在该数据表中,从封装底部到顶部的磁通量被认为是正的。当南磁极靠近封装顶部时,就会出现这种情况。从封装顶部到底部的磁通量会产生负毫特斯拉值。

DRV5032 磁通量方向极性图 7-2 磁通量方向极性