ZHCSGW2G April   2017  – July 2024 DRV5032

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 磁特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 磁通量方向
      2. 7.3.2 器件版本比较
        1. 7.3.2.1 磁性阈值
        2. 7.3.2.2 磁响应
        3. 7.3.2.3 输出类型
        4. 7.3.2.4 采样率
      3. 7.3.3 霍尔元件位置
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输出类型权衡
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 通用磁感应
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 三位置开关
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.4 热性能信息

热性能指标(1) DRV5032 单位
DBZ (SOT-23) DMR (X2SON) LPG (TO-92)
3 引脚 4 引脚 3 引脚
RθJA 结至环境热阻 356 159 183.1 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 128 77 74.2 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 94 102 158.8 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 11.4 0.9 15.2 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 92 100 158.8 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用手册。
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