ZHCSGY3G January 2017 – January 2023 TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
通用 | ||||||
CVDDIO | VDDIO 上的大容量电容 | 基于外部电源 IC 要求(1) | 0.1 | µF | ||
CVDDIO_DECAP | 每个 VDDIO 引脚上的去耦电容器 | 0.1 | µF | |||
CVDDA | VDDA 引脚上的电容器 | 2.2 | µF | |||
CVDDIO_SW | VDDIO_SW 引脚上的电容器 | 适用于直流/直流工作模式(2) | 20 | µF | ||
适用于仅 LDO 工作模式 | 0.1 | |||||
CVDD | VDD 上的大容量电容 | 适用于直流/直流工作模式(2) | 20 | µF | ||
适用于仅 LDO 工作模式(3) | 12 | 20 | 27 | |||
CVDD_DECAP | 每个 VDD 引脚上的去耦电容器 | 适用于直流/直流工作模式(2) | 0.1 | µF | ||
适用于仅 LDO 工作模式(3) | 0.1 | 6.75 | ||||
LVSW | 直流/直流稳压器的 VSW 引脚和 VDD 节点之间的电感器 | 2.2 | µH | |||
RLVSW-DCR | LVSW 允许的 DCR | 80 | mΩ | |||
ISAT-LVSW | LVSW 饱和电流 | 600 | mA | |||
SRVDDIO-UP(5) | 3.3V 电源轨 (VDDIO) 的电源斜升速率 | 8 | 100 | mV/μs | ||
SRVDDIO-DN(5) | 3.3V 电源轨 (VDDIO) 的电源斜降速率 | 20 | 100 | mV/μs | ||
外部 VREG | ||||||
CVDD 总计(4)(6) | 总 VDD 电容(8) | 10 | μF | |||
SRVDD-UP(5) | 1.2V 电源轨 (VDD) 的电源斜升速率 | 3.5 | 100 | mV/μs | ||
SRVDD-DN(5) | 1.2V 电源轨 (VDD) 的电源斜降速率 | 10 | 100 | mV/μs | ||
VDDIO - VDD 延迟(7) | VDDIO 和 VDD 之间的斜坡延迟 | 0 | 无限制 | μs |