ZHCSIF4D June   2018  – September 2022 TMP117

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 两线制接口时序
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 上电
      2. 7.3.2 均值计算
      3. 7.3.3 温度结果和限制
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 连续转换模式
      2. 7.4.2 关断模式 (SD)
      3. 7.4.3 单稳态模式 (OS)
      4. 7.4.4 热模式和警报模式
        1. 7.4.4.1 警报模式
        2. 7.4.4.2 热模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 EEPROM 编程
        1. 7.5.1.1 EEPROM 概述
        2. 7.5.1.2 对 EEPROM 进行编程
      2. 7.5.2 指针寄存器
      3. 7.5.3 I2C 和 SMBus 接口
        1. 7.5.3.1 串行接口
          1. 7.5.3.1.1 总线概述
          2. 7.5.3.1.2 串行总线地址
          3. 7.5.3.1.3 写入和读取操作
          4. 7.5.3.1.4 从模式操作
            1. 7.5.3.1.4.1 从接收器模式
            2. 7.5.3.1.4.2 从发射器模式
          5. 7.5.3.1.5 SMBus 警报功能
          6. 7.5.3.1.6 通用广播复位功能
          7. 7.5.3.1.7 超时功能
          8. 7.5.3.1.8 时序图
    6. 7.6 寄存器映射
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 噪声和取平均值操作
        2. 8.2.2.2 自发热效应 (SHE)
        3. 8.2.2.3 同步温度测量
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

对 EEPROM 进行编程

为防止意外编程,EEPROM 默认处于锁定状态。锁定后,对寄存器映射位置的任何 I2C 写入将仅在易失性寄存器上执行,不在 EEPROM 上执行。

图 7-7 显示了介绍 EEPROM 编程序列的流程图。若要对 EEPROM 进行编程,请首先通过设置 EEPROM 解锁寄存器中的 EUN 位来解锁 EEPROM。解锁 EEPROM 后,对寄存器映射位置的任何后续 I2C 写入都会对 EEPROM 中一个相应的非易失性存储器位置进行编程。对单个位置进行编程通常需要 7ms 并消耗 230µA 电流。在编程完成之前,请勿执行任何 I2C 写入操作。编程期间会设置 EEPROM_busy 标志。读取此标志以监测编程是否完成。对所需数据编程完毕后,发出通用广播复位命令以触发软件复位。来自 EEPROM 的编程数据随后将作为复位序列的一部分加载到相应的寄存器映射位置。此命令还会清除 EUN 位并自动锁定 EEPROM 以防止任何进一步的意外编程操作。请避免在 EEPROM 处于解锁状态时使用器件来执行温度转换。

GUID-0A7C5F8B-43FB-4D8F-84C5-E7D29293D56F-low.gif图 7-7 EEPROM 编程序列