通过在 DT 引脚和 GND 之间放置一个电阻器 R_DT 来对 t_DT 编程。TI 建议靠近 DT 引脚放置一个 2.2 nF 或以上的陶瓷电容器来旁路此引脚，从而实现更佳的抗噪性能。可以根据以下公式确定合适的 R_DT 值：

Equation1.

其中

• t_DT 是已编程设定的死区时间，单位为纳秒。
• R_DT 是 DT 引脚和 GND 之间的电阻值，单位为千欧。

DT 引脚上的稳态电压约为 0.8V。R_DT 对此引脚上的小电流进行编程，从而设置死区时间。随着 R_DT 值的增加，DT 引脚提供上的电流减小。当 R_DT = 100 kΩ 时，DT 引脚电流将小于 10 µA。对于更大的 R_DT 值，TI 建议尽可能靠近 DT 引脚放置 R_DT 和一个 2.2 nF 或以上的陶瓷电容器，从而实现更佳的抗噪性能并在两个通道之间实现更好的死区时间匹配。

一个输入信号的下降沿会启动已编程设定的另一个信号的死区时间。已编程设定的死区时间是驱动器将两个输出保持低电平的最短强制持续时间。如果 INA 和 INB 信号包含的死区持续时间长于已编程设定的最短时间，则输出保持低电平的持续时间也会长于已编程设定的死区时间。如果两个输入同时都处于高电平，则两个输出都将立即被设为低电平。此特性用于在半桥应用中防止击穿，并且它并不影响正常运行所需的已编程设定的死区时间。下图显示并说明了各种驱动器死区时间逻辑工作条件。

图 8-4 各种输入信号条件下输入与输出逻辑之间的关系

条件 A：INB 变为低电平，INA 变为高电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。在已编程设定的死区时间后，OUTA 能够变为高电平。

条件 B：INB 变为高电平，INA 变为低电平。INA 现在立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。在已编程设定的死区时间后，OUTB 能够变为高电平。

条件 C：INB 变为低电平，INA 仍为低电平。INB 立即将 OUTB 设为低电平并为 OUTA 分配已编程死区时间。在这种情况下，输入信号的自身死区时间长于已编程死区时间。因此，当 INA 变为高电平时，INA 立即将 OUTA 设为高电平。

条件 D：INA 变为低电平，INA 仍为低电平。INA 立即将 OUTA 设为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。INB 的自身死区时间长于已编程死区时间。因此，当 INB 变为高电平时，INB 立即将 OUTB 设为高电平。

条件 E：INA 变为高电平，而 INB 和 OUTB 仍为高电平。为了避免过冲，INA 立即将 OUTB 拉至低电平并使 OUTA 保持低电平状态。一段时间后，OUTB 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTA。OUTB 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后，OUTA 能够变为高电平。

条件 F：INB 变为高电平，而 INA 和 OUTA 仍为高电平。为了避免过冲，INB 立即将 OUTA 拉至低电平并使 OUTB 保持低电平状态。一段时间后，OUTA 变为低电平并将已编程设定的死区时间分配给 OUTB。OUTA 已经为低电平。在已编程设定的死区时间后，OUTB 能够变为高电平。