图 9-5显示了一种多脉冲基准测试电路，其使用 L1 作为电感器负载，并产生一组控制脉冲以评估驱动器和 SiC MOSFET 在不同负载条件下的开关瞬态。测试条件为：V_DC-Link = 600V、VCC = 5V、VDD = 15V、VSS = –4V、f_SW = 500kHz、R_ON = 5.1Ω、R_OFF = 1.0Ω。图 9-6 显示了大约 20A 电流时的导通和关断波形

通道 1（黄色）：低侧 MOSFET 上的栅极源电压信号。

通道 2（蓝色）：高侧 MOSFET 上的栅极源电压信号。

通道 3（粉色）：低侧 MOSFET 上的漏极源电压信号。

通道 4（绿色）：低侧 MOSFET 上的漏极源电流信号。

在图 9-6 中，高功率和低功率晶体管上的栅极驱动信号具有 100ns 死区时间，并且两种信号均使用 ≥ 500MHz 带宽探针进行测量。

图 9-5 具有 SiC MOSFET 开关的基准测试电路

图 9-6 SiC MOSFET 开关波形