外部栅极驱动器电阻器 R_ON/R_OFF 用于：

1. 限制寄生电感/电容引起的振铃。
2. 限制高电压/电流开关 dv/dt、di/dt 和体二极管反向恢复引起的振铃。
3. 微调栅极驱动强度，即峰值灌电流和拉电流，以优化开关损耗。
4. 降低电磁干扰 (EMI)。

如 Topic Link Label8.3.4中所述，UCC21530-Q1 具有包含并联 P 沟道 MOSFET 和额外上拉 N 沟道 MOSFET 的上拉结构。组合的峰值拉电流为 4A。因此，可以使用以下公式来预测峰值拉电流：

Equation2.

其中

• R_ON：在本例中，外部导通电阻 R_ON 为 2.2Ω；
• R_{GFET_INT}：功率晶体管内部栅极电阻（见于功率晶体管数据表）。
• I_O+ = 峰值拉电流 – 4A、栅极驱动器峰值拉电流和基于栅极驱动回路电阻计算出的值之间的最小值。

在本例中：

Equation3.

因此，每条通道的驱动器峰值拉电流为 2.4A。同样，可以使用以下公式来计算峰值灌电流：

Equation4.

其中

• R_OFF：在本例中，外部关断电阻 R_OFF 为 0；
• V_GDF：与 R_OFF 串联的反向并联二极管的正向压降。本例中的二极管为 MSS1P4。
• I_O-：峰值灌电流 – 6A、栅极驱动器峰值灌电流和基于栅极驱动回路电阻计算出的值之间的最小值。

在本例中：

Equation5.

因此，每条通道的驱动器峰值灌电流为 3.5A 。

重要的是，估算的峰值电流也受到 PCB 布局和负载电容的影响。栅极驱动器环路中的寄生电感可以减慢峰值栅极驱动电流并导致过冲和下冲。因此，强烈建议最大限度地缩小栅极驱动器环路。另一方面，当功率晶体管的负载电容 (C_ISS) 非常小（通常小于 1 nF）时，由于上升和下降时间太短且接近寄生振铃周期，峰值拉电流/灌电流主要由环路寄生效应决定。