UCC21530-Q1 的输出级具有上拉结构，在电源开关导通切换的米勒平台区域（当电源开关漏极或集电极电压经历 dV/dt）最需要时提供最高的峰值拉电流。输出级上拉结构具备一个 P 沟道 MOSFET 与一个额外的上拉 N 沟道 MOSFET（并联）。N 沟道 MOSFET 的功能是短暂增加峰值拉电流，从而实现快速导通。这是通过在输出状态从低电平变为高电平时，在短时间内短暂导通 N 沟道 MOSFET 来实现的。激活时，该 N 沟道 MOSFET 的导通电阻 (R_NMOS) 约为 1.47Ω。

R_OH 参数是直流测量值，仅代表 P 沟道器件的导通电阻。这是因为上拉 N 沟道器件在直流条件下保持在关断状态，并且仅在输出状态从低电平变为高电平时短暂导通。因此，在该短暂导通阶段，UCC21530-Q1 上拉级的有效电阻远低于 R_OH 参数所表示的有效电阻。

UCC21530-Q1 中的下拉结构仅由 N 沟道 MOSFET 组成。R_OL 参数也是一项直流测量值，其表示器件中下拉状态下的阻抗。UCC21530-Q1 的两个输出都能提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流脉冲。输出电压在 VDD 和 VSS 之间摆动提供轨到轨运行，这归功于提供极低压降的 MOS 输出级。

图 8-2 输出级