ZHCSK25B June   2020  – July 2022 DRV8436E

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
    1.     器件选项
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 PWM 电机驱动器
      2. 7.3.2 电桥控制
      3. 7.3.3 电流调节
      4. 7.3.4 衰减模式
        1. 7.3.4.1 慢速衰减
        2. 7.3.4.2 混合衰减
        3. 7.3.4.3 快速衰减
        4. 7.3.4.4 智能调优动态衰减
        5. 7.3.4.5 消隐时间
      5. 7.3.5 电荷泵
      6. 7.3.6 线性稳压器
      7. 7.3.7 逻辑和四电平引脚图
        1. 7.3.7.1 nFAULT 引脚
      8. 7.3.8 保护电路
        1. 7.3.8.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.8.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.8.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.8.4 热关断 (OTSD)
        5. 7.3.8.5 36
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 工作模式 (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 功能模式汇总
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 主要应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电流调节
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 设计要求
      2. 8.3.2 详细设计过程
        1. 8.3.2.1 电流调节
        2. 8.3.2.2 步进电机转速
        3. 8.3.2.3 衰减模式
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 相关链接
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
  12. 12机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下测得的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下测得的限值。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压（VM、DVDD）
IVM VM 工作电源电流 nSLEEP = 1，无电机负载，启用 IC 5

7

 mA
IVMQ VM 睡眠模式电源电流 nSLEEP = 0 2 4 μA
tSLEEP 睡眠时间 nSLEEP = 0 至睡眠模式 75 μs
tWAKE 唤醒时间 nSLEEP = 1 至输出转换 0.6 0.9 ms
tON 导通时间 VM > UVLO 至输出转换 0.6 0.9 ms
VDVDD 内部稳压器电压 无外部负载，6V < VVM < 45V 4.5 5 5.5 V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VVCP VCP 工作电压 VVM + 5 V
f(VCP) 电荷泵开关频率 VVM > UVLO；nSLEEP = 1 400 kHz
逻辑电平输入（APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2、nSLEEP）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.5 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 150 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VIN = 0V -1 1 μA
IIH 输入逻辑高电平电流 VIN = 5V 50 μA
tPD 传播延迟 通过 xPH、xEN、xINx 输入改变电流 850 ns
四电平输入（ADECAY、BDECAY、TOFF）
VI1 输入逻辑低电平电压 连接至 GND 0 0.6 V
VI2 330kΩ ± 5% 至 GND 1 1.25 1.4 V
VI3 输入高阻抗电压 高阻抗（>500kΩ 至 GND） 1.8 2 2.2 V
VI4 输入逻辑高电平电压 连接至 DVDD 2.7 5.5 V
IO 输出上拉电流 10 μA
控制输出 (nFAULT)
VOL 输出逻辑低电平电压 IO = 5mA 0.4 V
IOH 输出逻辑高电平漏电流 VVM = 24V -1 1 μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RDS(ON) 高侧 FET 导通电阻 VVM = 24V，TJ = 25°C，IO = -1A 450 550 mΩ
VVM = 24V，TJ = 125°C，IO = -1A 700 850 mΩ
VVM = 24V，TJ = 150°C，IO = -1A 780 950 mΩ
RDS(ON) 低侧 FET 导通电阻 VVM = 24V，TJ = 25°C，IO = 1A 450 550 mΩ
VVM = 24V，TJ = 125°C，IO = 1A 700 850 mΩ
VVM = 24V，TJ = 150°C，IO = 1A 780 950 mΩ
tSR 输出压摆率 VM = 24V，IO = 0.5A，介于 10% 和 90% 之间 150 V/µs
PWM 电流控制（VREFA、VREFB）
KV 跨阻增益 2.2 V/A
tOFF PWM 关断时间 TOFF = 0 7 μs
TOFF = 1 16
TOFF = Hi-Z 24
TOFF = 330kΩ 至 GND 32
ΔITRIP 电流跳变精度 IO = 1.5A，10% 至 20% 电流设置 –13 10 %
IO = 1.5A，20% 至 67% 电流设置 –8 8
IO = 1.5A，67% 至 100% 电流设置 –7.5 7.5
IO,CH AOUT 和 BOUT 电流匹配 IO = 1.5A -2.5 2.5 %
保护电路
VUVLO VM UVLO 锁定 VM 下降，UVLO 下降 4.15 4.25 4.35 V
VM 上升，UVLO 上升 4.25 4.35 4.45
VUVLO,HYS 欠压迟滞 上升至下降阈值 100 mV
VCPUV 电荷泵欠压 VCP 下降；CPUV 报告 VVM + 2 V
IOCP 过流保护 流经任何 FET 的电流 2.4 A
tOCP 过流抗尖峰时间 VM < 37V 3 μs
VM >= 37V 0.5
tRETRY 过流重试时间 4 ms
TOTSD 热关断 内核温度 TJ 150 165 180 °C
THYS_OTSD 热关断迟滞 内核温度 TJ 20 °C
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