ZHCSLD9B May   2020  – November 2020 TPS23730

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性：直流/直流控制器部分
    6. 7.6 电气特性 PoE
    7.     14
    8. 7.7 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 特性描述
      1. 8.3.1  CLSA、CLSB 分级
      2. 8.3.2  DEN 检测和使能
      3. 8.3.3  APD 辅助电源检测
      4. 8.3.4  PPD 功率检测
      5. 8.3.5  内部导通 MOSFET
      6. 8.3.6  TPH、TPL 和 BT PSE 类型 指标
      7. 8.3.7  直流/直流控制器特性
        1. 8.3.7.1 VCC、VB、VBG 和高级 PWM 启动
        2.       28
        3. 8.3.7.2 CS、斜坡补偿电流和消隐
        4. 8.3.7.3 COMP、FB、EA_DIS、CP、PSRS 和无光耦合器反馈
        5. 8.3.7.4 FRS 频率设置和同步
        6. 8.3.7.5 DTHR 和频率抖动，用于扩频应用
        7. 8.3.7.6 转换开关的 SST 和软启动
        8. 8.3.7.7 转换开关的 SST、I_STP、LINEUV 和软停止
      8. 8.3.8  开关 FET 驱动器 - GATE、GTA2、DT
      9. 8.3.9  EMPS 和自动 MPS
      10. 8.3.10 VDD 电源电压
      11. 8.3.11 RTN、AGND、GND
      12. 8.3.12 VSS
      13. 8.3.13 外露散热焊盘 - PAD_G 和 PAD_S
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1  PoE 概述
      2. 8.4.2  阈值电压
      3. 8.4.3  PoE 启动序列
      4. 8.4.4  检测
      5. 8.4.5  硬件分级
      6. 8.4.6  维持功率特征 (MPS)
      7. 8.4.7  高级启动和转换器运行
      8. 8.4.8  线路欠压保护和转换器运行
      9. 8.4.9  PD 自保护
      10. 8.4.10 热关断 - 直流/直流控制器
      11. 8.4.11 适配器 ORing
  9. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
        1. 9.2.1.1 详细设计过程
          1. 9.2.1.1.1  输入电桥和肖特基二极管
          2. 9.2.1.1.2  输入 TVS 保护
          3. 9.2.1.1.3  输入旁路电容器
          4. 9.2.1.1.4  检测电阻，RDEN
          5. 9.2.1.1.5  分级电阻，RCLSA 和 RCLSB。
          6. 9.2.1.1.6  死区时间电阻器，RDT
          7. 9.2.1.1.7  APD 引脚分压器网络，RAPD1、RAPD2
          8. 9.2.1.1.8  PPD 引脚分压器网络，RPPD1，RPPD2
          9. 9.2.1.1.9  设定频率 (RFRS) 和同步
          10. 9.2.1.1.10 偏置电源要求和 CVCC
          11. 9.2.1.1.11 TPH、TPL 和 BT 接口
          12. 9.2.1.1.12 次级侧软启动
          13. 9.2.1.1.13 传导发射的频率抖动控制
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
    3. 11.3 EMI 遏制
    4. 11.4 散热注意事项和 OTSD
    5. 11.5 ESD
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

7.6 电气特性 PoE

除非另有说明，否则 VVDD = 48V；RDEN = 25.5kΩ；RFRS = 60.4kΩ；RI_STP = 499kΩ；CLSA、CLSB、TPH、TPL、BT、SCDIS 和 PSRS 打开；CS、EA_DIS、APD、EMPS、AGND 和 GND 连接到 RTN；FB、LINEUV、DT 和 DTHR 连接到 VB；PPD 连接到 VSS；CVB = CVBG = 0.1μF；CVCC = 1μF；CSST = 0.047μF；RREF = 49.9kΩ；–40°C ≤ TJ ≤ 125°C。除非另有说明，否则正电流进入引脚。典型值为 25°C 下的值。
VVCC-RTN = 0V，除非另有说明，否则所有电压指的是 VVSS。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
PD 检测 (DEN)
检测偏置电流 DEN 打开，VVDD = 10V，不在标记中，测量 IVDD + IRTN 3.5 6.9 13.9 µA
Ilkg DEN 泄漏电流 VDEN = VVDD = 60V，浮动 RTN，测量 IDEN 0.1 5 µA
检测电流 测量 IVDD + IDEN + IRTN，VVDD = 1.4V 53.5 56.5 58.6 μA
测量 IVDD + IDEN + IRTN，VVDD = 10V，不在标记中 391 398 406.2 μA
VPD_DIS 热插拔禁用阈值 DEN 下降 3 4 5 V
PD 分级 (CLSA, CLSB)
ICLS 分级 A、B 特征电流 RCLSA 或 RCLSB = 806Ω 13V ≤ VDD ≤ 21V，测量 IVDD + IDEN + IRTN 1.9 2.5 2.9 mA
RCLSA 或 RCLSB = 130Ω 13V ≤ VDD ≤ 21V，测量 IVDD + IDEN + IRTN 9.9 10.6 11.3 mA
RCLSA 或 RCLSB = 69.8Ω 13V ≤ VDD ≤ 21V，测量 IVDD + IDEN + IRTN 17.6 18.6 19.4 mA
RCLSA 或 RCLSB = 46.4Ω 13V ≤ VDD ≤ 21V，测量 IVDD + IDEN + IRTN 26.5 27.9 29.3 mA
RCLSA 或 RCLSB = 32Ω 13V ≤ VDD ≤ 21V，测量 IVDD + IDEN + IRTN 37.8 39.9 42 mA
VCL_ON 分级调节器下限阈值上升 VVDD 上升，ICLS ↑ 11.4 12.2 13 V
VCL_H 分级调节器下限阈值 迟滞(1) 0.8 1.2 1.6 V
VCU_OFF 分级调节器上限阈值 VVDD 上升，ICLS ↓ 21 22 23 V
VCU_H 迟滞(1) 0.5 0.77 1 V
VMSR 标记状态复位阈值 VVDD 下降 3 3.9 5 V
标记状态电阻 在 5V 和 10.1V 进行 2 点测量 6 10 12 kΩ
Ilkg 泄漏电流 VVDD = 60V，VCLS = 0V，VDEN = VVSS，测量 ICLS 1 μA
tLCF_PD 一级事件时间较长 短 MPS 的 1 级事件持续时间 76 81.5 87 ms
RTN（导通器件）
导通电阻 0.3 0.55 Ω
ILIM 电流限制 VRTN = 1.5V，脉冲测量 1.5 1.85 2.2 A
IIRSH 浪涌电流限制 VRTN = 2V，VVDD：20V → 48V，测量 IRTN，脉冲测量 100 140 180 mA
通过非标准 UVLO 提供浪涌电流限制功能 VPPD - VVSS > VPPDEN，VRTN = 2V，VVDD：0V → 20V，测量 IRTN，脉冲测量 100 140 180 mA
浪涌终止 浪涌电流百分比。 80% 90% 99%
tINR_DEL 80 84 88 ms
折返电压阈值 VRTN 上升 13.5 14.8 16.1 V
折返抗尖峰脉冲时间 VRTN 上升到电流限值变为浪涌电流限值时。这适用于正常运行情况或自动 MPS 模式。 1.5 1.8 2.1 ms
泄漏电流 VVDD = VRTN = 100V，VDEN = VVSS 70 μA
PSE 类型指示 （TPL、TPH、BT）
VTPL 输出低电压 ITPL = 1mA，在 2 个或 3 个事件分级之后，启动完成之后，VRTN = 0V 0.27 0.5 V
VTPH 输出低电压 ITPH = 1mA，在 4 个事件分级之后，启动完成之后，VRTN = 0V 0.27 0.5 V
VBT 输出低电压 IBT = 2mA，在 IEEE802.3bt 分级之后，启动完成之后，VRTN = 0V 0.27 0.5 V
fTPL TPL 频率 VSCDIS = 0V，VAPD-RTN = 5V，启动完成之后。 550 625 700 Hz
PoE 运行中的 TPL 占空比 VSCDIS = 0V，4 事件分级之后，启动完成之后 24% 25% 26%
非标准 PoE 运行中的 TPL 占空比 VSCDIS = 0V，启动完成之后 49% 50% 51%
辅助电源运行中的 TPL 占空比 VSCDIS = 0V，VAPD-RTN = 5V，启动完成之后。 74% 75% 76%
泄漏电流 VTPL-RTN 或 VTPH-RTN = 10V 或 VBT-RTN = 5V，VRTN = 0V 1 µA
SCDIS 上拉电流 VVDD ≥ VUVLO_R 或 VAPD-RTN = 5V 14 20 25 µA
PD 输入电源 (VDD)
VUVLO_R 欠压闭锁阈值 VVDD 上升 35.8 37.6 39.5 V
VUVLO_F 欠压闭锁阈值 VVDD 下降 30.5 32 33.6 V
VUVLO_H 欠压闭锁阈值 迟滞(1) 5.7 6.0 6.3 V
IVDD_ON 工作电流 40V ≤ VVDD ≤ 60V，已完成启动，VVCC = 10V，测量 IVDD 650 1040 µA
IVDD_OFF 关断状态电流 RTN、GND 和 VCC 打开，VVDD = 30V，测量 IVDD 730 µA
MPS
IMPSL 1-2 类 PSE 的 MPS 总 VSS 电流 EMPS 打开，已完成浪涌延迟，0mA ≤ IRTN ≤ 10mA，测量 IVSS 10 12.5 15.5 mA
IMPSH 3-4 类 PSE 的 MPS 总 VSS 电流 EMPS 打开，已完成浪涌延迟，0mA ≤ IRTN ≤ 16mA，测量 IVSS 16.25 19 21.5 mA
适用于 1-2 类 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比 MPS 脉冲电流占空比 EMPS 打开 26.2% 26.6% 26.9%
tMPSL MPS 脉冲电流开启时间 EMPS 打开 76 81.5 87 ms
MPS 脉冲电流关闭时间 EMPS 打开 225 245 ms
适用于 3-4 类 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比 MPS 脉冲电流占空比，无脉冲展宽 EMPS 打开 2.9% 3.0% 3.1%
tMPSH MPS 脉冲电流导通时间，无脉冲展宽 EMPS 打开 7.2 7.7 8.1 ms
MPS 脉冲电流关闭时间 EMPS 打开 238 250 265 ms
MPS 脉冲电流导通时间展宽限制 EMPS 打开 54 57 62 ms
热关断
关断温度 148 158 168 °C
迟滞(2) 15 °C
(1) 迟滞容差跟踪给定器件的上升阈值。
(2) 提供的这些参数仅供参考。
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