9 电源相关建议

AMC3302-Q1 由标称值为 3.3V 或 5V 的低侧电源 (VDD) 供电。TI 建议将 1nF 的低 ESR 去耦电容器（图 9-1 中的 C8）放置在尽可能靠近 VDD 引脚的位置，后跟一个 1µF 电容 (C9) 以滤除此电源路径。

直流/直流转换器的低侧通过靠近器件且位于 DCDC_IN 和 DCDC_GND 引脚之间的低 ESR 100nF 电容器 (C4) 去耦。除了尽可能靠近器件放置并连接到 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引脚的低 ESR、1nF 电容器 (C3) 之外，使用 1µF 电容器 (C2) 对高侧去耦。

对于高侧 LDO，使用 1nF 的低 ESR 电容器 (C6)，尽可能靠近 AMC3302-Q1 放置，然后使用 100nF 去耦电容器 (C5)。

高侧接地基准 (HGND) 由连接到器件负输入端 (INN) 的分流电阻器端子提供。为获得更高 DC 精度，请使用单独的引线进行此连接，而不是直接在器件输入端将 HGND 短接至 INN。高侧直流/直流接地端子 (DCDC_HGND) 直接在器件引脚处短接到 HGND。

如图 9-1 所示，TI 建议在 INP、INN 和 HGND 信号线上放置铁氧体磁珠，以获得出色 EMI 性能。有关降低辐射发射的更多信息和元件选型指南，请参阅衰减 AMC3301 系列辐射发射 EMI 的最佳实践应用手册（可从 www.ti.com 下载）

图 9-1 解耦 AMC3302-Q1

在应用中出现的适用直流偏置条件下，电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下，通常仅使用多层陶瓷电容器 (MLCC) 标称电容的一小部分，因此在选择这些电容器时，必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线，这大大简化了元件选型过程。

表 9-1 列出了适用于 AMC3302-Q1 的元件。此列表并不是详尽无遗。可能存在同样合适（或更好）的其他元件，但这些列出的元件已在 AMC3302-Q1 的开发过程中得到验证。

表 9-1 推荐的外部元件

说明		器件型号	制造商	大小（EIA，L x W）
VDD
C8	1nF ± 10%，X7R，50V	12065C102KAT2A⁽¹⁾	AVX	1206，3.2mm x 1.6mm
C8	1nF ± 10%，X7R，50V	C0603C102K5RACTU	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C9	1µF ± 10%，X7R，25V	12063C105KAT2A⁽¹⁾	AVX	1206，3.2mm x 1.6mm
C9	1µF ± 10%，X7R，25V	CGA3E1X7R1E105K080AC	TDK	0603，1.6mm x 0.8mm
直流/直流转换器
C4	100nF ± 10%，X7R，50V	C0603C104K5RACAUTO	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C3	1nF ± 10%，X7R，50V	C0603C102K5RACTU	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C2	1µF ± 10%，X7R，25V	CGA3E1X7R1E105K080AC	TDK	0603，1.6mm x 0.8mm
HLDO
C1	100nF ± 10%，X7R，50V	C0603C104K5RACAUTO	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C5	100nF ± 5%，NP0，50V	C3216NP01H104J160AA⁽¹⁾	TDK	1206，3.2mm x 1.6mm
C5	100nF ± 10%，X7R，50V	C0603C104K5RACAUTO	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
C6	1nF ± 10%，X7R，50V	12065C102KAT2A⁽¹⁾	AVX	1206，3.2mm x 1.6mm
C6	1nF ± 10%，X7R，50V	C0603C102K5RACTU	Kemet（基美）	0603，1.6mm x 0.8mm
铁氧体磁珠
FB1、FB2、FB3	铁氧体磁珠⁽²⁾	74269244182	Wurth Elektronik（伍尔特电子）	0402，1.0mm x 0.5mm
		BLM15HD182SH1	Murata（村田）	0402，1.0mm x 0.5mm
		BKH1005LM182-T	Taiyo Yuden（太阳诱电）	0402，1.0mm x 0.5mm

(1) 用于参数验证的元件。

(2) 没有用于参数验证的铁氧体磁珠。