ZHCSM53 October 2020 TPS23731
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
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PD 检测 (DEN) | |||||||
检测偏置电流 | DEN 打开,VVDD = 10V,不在标记中,测量 IVDD + IRTN | 3.5 | 6.9 | 13.9 | µA | ||
Ilkg | DEN 泄漏电流 | VDEN = VVDD = 60V,浮动 RTN,测量 IDEN | 0.1 | 5 | µA | ||
检测电流 | 测量 IVDD + IDEN + IRTN,VVDD = 1.4V | 53.5 | 56.5 | 58.6 | μA | ||
测量 IVDD + IDEN + IRTN,VVDD = 10V,不在标记中 | 391 | 398 | 406.2 | μA | |||
VPD_DIS | 热插拔禁用阈值 | DEN 下降 | 3 | 4 | 5 | V | |
PD 分级 (CLS) | |||||||
ICLS | 分级 特征电流 | RCLS = 806Ω | 13V ≤ VDD ≤ 21V,测量 IVDD + IDEN + IRTN | 1.9 | 2.5 | 2.9 | mA |
RCLS = 130Ω | 13V ≤ VDD ≤ 21V,测量 IVDD + IDEN + IRTN | 9.9 | 10.6 | 11.3 | mA | ||
RCLS = 69.8Ω | 13V ≤ VDD ≤ 21V,测量 IVDD + IDEN + IRTN | 17.6 | 18.6 | 19.4 | mA | ||
RCLS = 46.4Ω | 13V ≤ VDD ≤ 21V,测量 IVDD + IDEN + IRTN | 26.5 | 27.9 | 29.3 | mA | ||
RCLS = 32Ω | 13V ≤ VDD ≤ 21V,测量 IVDD + IDEN + IRTN | 37.8 | 39.9 | 42 | mA | ||
ICLS | 分级特征电流,3 级事件 | RCLS = 32Ω | 13V ≤ VDD ≤ 21V,测量 IVDD + IDEN + IRTN | 37.8 | 39.9 | 42 | mA |
VCL_ON | 分级调节器下限阈值上升 | VVDD 上升,ICLS ↑ | 11.4 | 12.2 | 13 | V | |
VCL_H | 分级调节器下限阈值 | 迟滞(1) | 0.8 | 1.2 | 1.6 | V | |
VCU_OFF | 分级调节器上限阈值 | VVDD 上升,ICLS ↓ | 21 | 22 | 23 | V | |
VCU_H | 迟滞(1) | 0.5 | 0.77 | 1 | V | ||
VMSR | 标记状态复位阈值 | VVDD 下降 | 3 | 3.9 | 5 | V | |
标记状态电阻 | 在 5V 和 10.1V 进行 2 点测量 | 6 | 10 | 12 | kΩ | ||
Ilkg | 泄漏电流 | VVDD = 60V,VCLS = 0V,VDEN = VVSS,测量 ICLS | 1 | μA | |||
tLCF_PD | 一级事件时间较长 | 短 MPS 的 1 级事件持续时间 | 76 | 81.5 | 87 | ms | |
RTN(导通器件) | |||||||
导通电阻 | 0.3 | 0.55 | Ω | ||||
ILIM | 电流限制 | VRTN = 1.5V,脉冲测量 | 0.75 | 0.925 | 1.1 | A | |
IIRSH | 浪涌电流限制 | VRTN = 2V,VVDD:20V → 48V,测量 IRTN,脉冲测量 | 100 | 140 | 180 | mA | |
浪涌终止 | 浪涌电流百分比。 | 80% | 90% | 99% | |||
tINR_DEL | 80 | 84 | 88 | ms | |||
折返电压阈值 | VRTN 上升 | 13.5 | 14.8 | 16.1 | V | ||
折返抗尖峰脉冲时间 | VRTN 上升到电流限值变为浪涌电流限值时。这适用于正常运行情况或自动 MPS 模式。 | 1.5 | 1.8 | 2.1 | ms | ||
泄漏电流 | VVDD = VRTN = 100V,VDEN = VVSS | 70 | μA | ||||
PSE 类型指示 (T2P) | |||||||
输出低电压 | IT2P = 1mA,在 2 个或 3 个事件分级之后,启动完成之后,VRTN = 0V | 0.27 | 0.5 | V | |||
泄漏电流 | VT2P-RTN = 10V,VRTN = 0V | 1 | µA | ||||
PD 输入电源 (VDD) | |||||||
VUVLO_R | 欠压闭锁阈值 | VVDD 上升 | 35.8 | 37.6 | 39.5 | V | |
VUVLO_F | 欠压闭锁阈值 | VVDD 下降 | 30.5 | 32 | 33.6 | V | |
VUVLO_H | 欠压闭锁阈值 | 迟滞(1) | 5.7 | 6.0 | 6.3 | V | |
IVDD_ON | 工作电流 | 40V ≤ VVDD ≤ 60V,已完成启动,VVCC = 10V,测量 IVDD | 650 | 1040 | µA | ||
IVDD_OFF | 关断状态电流 | RTN、GND 和 VCC 打开,VVDD = 30V,测量 IVDD | 730 | µA | |||
MPS | |||||||
IMPSL | 1-2 类 PSE 的 MPS 总 VSS 电流 | EMPS 打开,已完成浪涌延迟,0mA ≤ IRTN ≤ 10mA,测量 IVSS | 10 | 12.5 | 15.5 | mA | |
IMPSH | 3-4 类 PSE 的 MPS 总 VSS 电流 | EMPS 打开,已完成浪涌延迟,0mA ≤ IRTN ≤ 16mA,测量 IVSS | 16.25 | 19 | 21.5 | mA | |
适用于 1-2 类 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比 | MPS 脉冲电流占空比 | EMPS 打开 | 26.2% | 26.6% | 26.9% | ||
tMPSL | MPS 脉冲电流开启时间 | EMPS 打开 | 76 | 81.5 | 87 | ms | |
MPS 脉冲电流关闭时间 | EMPS 打开 | 225 | 245 | ms | |||
适用于 3-4 类 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比 | MPS 脉冲电流占空比,无脉冲展宽 | EMPS 打开 | 2.9% | 3.0% | 3.1% | ||
tMPSH | MPS 脉冲电流导通时间,无脉冲展宽 | EMPS 打开 | 7.2 | 7.7 | 8.1 | ms | |
MPS 脉冲电流关闭时间 | EMPS 打开 | 238 | 250 | 265 | ms | ||
MPS 脉冲电流导通时间展宽限制 | EMPS 打开 | 54 | 57 | 62 | ms | ||
热关断 | |||||||
关断温度 | 148 | 158 | 168 | °C | |||
迟滞(2) | 15 | °C |