对电感器电流的峰值和谷值都施加了降压稳压器逐周期电流限制。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在既定消隐时间后打开时，将感测高侧开关电流。每个开关周期内，高侧开关电流将与误差放大器 (EA) 减去斜坡补偿的输出进行比较。高侧开关的电流峰值受最大钳位峰值电流阈值 I_{HS_LIMIT}（恒定值）限制。高侧开关的峰值电流限制不受斜率补偿影响，在整个占空比范围内保持恒定。

此外，还将对流经低侧 MOSFET 的电流进行感测和监控。当低侧开关导通时，电感电流开始下降。开关周期结束时，如果低侧开关的电流高于 低侧电流限值 I_{LS_LIMIT}，则低侧开关不会关闭。低侧开关保持导通，从而使电感器电流不断下降，直到电感器电流低于低侧电流限值 I_{LS_LIMIT}。然后，低侧开关关闭，高侧开关在经过死区时间之后开启。该操作与更为典型的峰值限流稍有不同，其最大负载电流可通过Equation10 计算得出。

Equation10.