ZHCSMW8D October   2020  – July 2024 TMUX7211 , TMUX7212 , TMUX7213

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  热性能信息
    4. 6.4  建议运行条件
    5. 6.5  源极或漏极持续电流
    6. 6.6  ±15 V 双电源：电气特性 
    7. 6.7  ±15 V 双电源：开关特性 
    8. 6.8  ±20 V 双电源：电气特性
    9. 6.9  ±20 V 双电源：开关特性
    10. 6.10 44 V 单电源：电气特性 
    11. 6.11 44 V 单电源：开关特性 
    12. 6.12 12 V 单电源：电气特性 
    13. 6.13 12 V 单电源：开关特性 
    14. 6.14 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1  导通电阻
    2. 7.2  关断漏电流
    3. 7.3  导通漏电流
    4. 7.4  tON 和 tOFF 时间
    5. 7.5  tON (VDD) 时间
    6. 7.6  传播延迟
    7. 7.7  电荷注入
    8. 7.8  关断隔离
    9. 7.9  通道-通道串扰
    10. 7.10 带宽
    11. 7.11 THD + 噪声
    12. 7.12 电源抑制比 (PSRR)
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 双向运行
      2. 8.3.2 轨到轨运行
      3. 8.3.3 1.8V 逻辑兼容输入
      4. 8.3.4 逻辑引脚上带有集成下拉电阻器
      5. 8.3.5 失效防护逻辑
      6. 8.3.6 闩锁效应抑制
      7. 8.3.7 超低电荷注入
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 真值表
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

11 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (August 2021)to RevisionD (July 2024)

  • 更新 PW 和 RUM 封装的 HBM ESD 值Go
  • 更新了 IIH 最大值规格Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (April 2021)to RevisionC (August 2021)

  • 为 TMUX7211、TMUX7212 和 TMUX7213 添加了 QFN 封装Go
  • 添加了 RUM 封装的 ESD 详细信息Go
  • 更改了 12V 电源的 THD+N 典型值Go
  • 添加了逻辑引脚上带有集成下拉电阻器 部分Go
  • 更新了超低电荷注入 部分Go
  • 更新了布局示例 部分中的 TMUX721x 布局示例 图Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (March 2021)to RevisionB (April 2021)

  • 包含了 TMUX7213 的先断后合延时时间  Go
  • 更新了电荷注入补偿 图Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (December 2020)to RevisionA (March 2021)

  • 向“特性”部分添加了对 WQFN 的高电流支持Go
  • 添加了 QFN 封装的热性能信息Go
  • 更新了源极或漏极连续电流 表中 TSSOP 封装的 IDC 规格 Go
  • 在源极或漏极连续电流 表中添加了 QFN 封装的 IDC 规格 Go
  • 将 TON(VDD) 测试条件中的 VDD 上升时间值从 100ns 更新为 1µsGo
  • 将电荷注入测试条件中的 CL 值从 1nF 更新为 100pFGo
  • 更新了图 7-10 漏电流与温度间的关系 Go
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