LMT86-Q1 器件在温度和电源电压范围内具有非常高的线性度。由于 NMOS/PMOS 轨到轨缓冲器的固有行为，当电源电压在器件的工作范围内升高时，输出可能会发生轻微漂移。漂移的位置取决于 V_DD 和 V_OUT 的相对电平。漂移通常在 V_DD - V_OUT = 1V 时发生。

产生该轻微漂移（数毫伏）的条件是 V_DD 或 V_OUT 发生大幅变化（约 200mV）。由于漂移发生在 5°C 至 20°C 的宽温变范围内，因此 V_OUT 始终具有单调性。精度特性 表中的精度规格已包含该可能漂移。