本部分中的布局示例显示了去耦电容器和 ESD 保护二极管的建议放置方式。建议在 D+/D- 信号布线下方使用连续的接地层。建议使用小尺寸电容器 (0402/0201)，以便可以将它们放置在非常靠近电源引脚和相应接地引脚的位置并使用顶层进行连接。去耦电容器与相应电源和接地引脚之间的布线路径上不应有任何过孔。ESD 保护二极管应靠近连接器放置，并与接地层牢固连接。所示的示例适用于隔离式主机或集线器，但类似的注意事项也适用于隔离式外设。VBUS 上的 120μF 电容器仅适用于主机或集线器，而不应用于外设。可以选择在 VBUS 线路上的 100nF（和 120μF）电容器之后放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠，以防止 ESD 等瞬变影响电路的其余部分。 为了获得理想性能，建议尽量缩短从 MCU 到 ISOUSB111，以及从 ISOUSB111 到连接器的 D+/D- 电路板布线长度。必须避免 D+/D- 线路上的过孔和残桩。
图 11-1 ISOUSB111 布局示例.