ZHCSQS8K January   2006  – January 2024 TPS5430 , TPS5431

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议工作条件
    4. 5.4 热性能信息（DDA 封装）
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  振荡器频率
      2. 6.3.2  电压基准
      3. 6.3.3  使能（ENA）和内部慢启动
      4. 6.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5  升压电容器（BOOT）
      6. 6.3.6  输出反馈（VSENSE）和内部补偿
      7. 6.3.7  电压前馈
      8. 6.3.8  脉宽调制（PWM）控制
      9. 6.3.9  过流限制
      10. 6.3.10 过压保护
      11. 6.3.11 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 6.4.2 在实施 ENA 控制的情况下运行
  8. 7 应用和实现
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 12V 输入到 5.0V 输出
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 开关频率
          3. 7.2.1.2.3 输入电容器
          4. 7.2.1.2.4 输出滤波器元件
            1. 7.2.1.2.4.1 电感器选择
            2. 7.2.1.2.4.2 电容器选择
          5. 7.2.1.2.5 输出电压设定点
          6. 7.2.1.2.6 启动电容器
          7. 7.2.1.2.7 环流二极管
          8. 7.2.1.2.8 高级信息
            1. 7.2.1.2.8.1 输出电压限制
            2. 7.2.1.2.8.2 内部补偿网络
            3. 7.2.1.2.8.3 热计算
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 TPS5430 的宽输入电压范围
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 TPS5431 的宽输入电压范围
          1. 7.2.2.3.1 设计要求
          2. 7.2.2.3.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 使用陶瓷输出滤波电容器的电路
        1. 7.2.3.1 设计要求
        2. 7.2.3.2 详细设计过程
          1. 7.2.3.2.1 输出滤波器元件选择
          2. 7.2.3.2.2 外部补偿网络
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具定制设计方案
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 Revision History
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.4 热性能信息（DDA 封装）

热指标(1) TPS543X  单位
DDA (HSOIC)
8 引脚
RθJA 结至环境热阻 (TPS5430EVM)(2) 45 °C/W
RθJA 结至环境热阻 (JESD 51-7)(3)   42.3 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 46 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 15 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 5.2 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 15.3 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 6 °C/W
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标。
(2) 请参阅 EVM 用户指南电路板布局和其他信息。有关热设计信息，请参阅“最高环境温度”一节。
(3) 此表中给出的 RθJA 值仅用于与其他封装的比较，不能用于设计目的。这些值是根据 JESD 51-7 计算的，并在 4 层 JEDEC 板上进行了仿真。它们并不代表在实际应用中获得的性能。例如，EVM RΘJA = 待定 ℃/W。有关设计信息，请参阅“最高环境温度”一节。
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