ZHCSQT0E March   2007  – July 2022 TPS5450

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议工作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  振荡器频率
      2. 7.3.2  电压基准
      3. 7.3.3  使能 (ENA) 和内部慢启动
      4. 7.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 7.3.5  升压电容器 (BOOT)
      6. 7.3.6  输出反馈 (VSENSE) 和内部补偿
      7. 7.3.7  电压前馈
      8. 7.3.8  脉宽调制 (PWM) 控制
      9. 7.3.9  过流限制
      10. 7.3.10 过压保护
      11. 7.3.11 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 7.4.2 通过 ENA 控制工作
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 开关频率
        2. 8.2.2.2 输出电压设定点
        3. 8.2.2.3 输入电容器
        4. 8.2.2.4 输出滤波器元件
        5. 8.2.2.5 电感器选择
        6. 8.2.2.6 电容器选型
        7.       43
        8. 8.2.2.7 启动电容器
        9. 8.2.2.8 环流二极管
        10. 8.2.2.9 高级信息
          1. 8.2.2.9.1 输出电压限制
          2. 8.2.2.9.2 内部补偿网络
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 热计算
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 11.2 商标
    3. 11.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 11.4 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

说明

TPS5450 是一款高输出电流的 PWM 转换器,集成了低电阻高侧 N 沟道 MOSFET。具有所列的特性的基板上还包括高性能电压误差放大器(可在瞬态条件下提供高稳压精度)、欠压锁定电路(用于防止在输入电压达到 5.5V 前启动)、内部设置的慢启动电路(用于限制浪涌电流)以及电压前馈电路(用于改进瞬态响应)。通过使用 ENA 引脚,关断电源电流通常可减少到 18μA。其他特性包括高电平有效使能端、过流限制、过压保护和热关断。为降低设计复杂性并减少外部组件数量,TPS5450 反馈环路进行了内部补偿。

TPS5450 器件采用热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 封装。TI 提供评估模块和软件工具,有助于实现高性能电源设计,可满足迫切的器件开发周期要求。

器件信息(1)
器件型号 封装 封装尺寸(标称值)
TPS5450 HSOP (8) 4.89mm × 3.90mm
有关所有的可用封装,请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
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