ZHCSQT0E March   2007  – July 2022 TPS5450

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议工作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  振荡器频率
      2. 7.3.2  电压基准
      3. 7.3.3  使能 (ENA) 和内部慢启动
      4. 7.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 7.3.5  升压电容器 (BOOT)
      6. 7.3.6  输出反馈 (VSENSE) 和内部补偿
      7. 7.3.7  电压前馈
      8. 7.3.8  脉宽调制 (PWM) 控制
      9. 7.3.9  过流限制
      10. 7.3.10 过压保护
      11. 7.3.11 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 7.4.2 通过 ENA 控制工作
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 开关频率
        2. 8.2.2.2 输出电压设定点
        3. 8.2.2.3 输入电容器
        4. 8.2.2.4 输出滤波器元件
        5. 8.2.2.5 电感器选择
        6. 8.2.2.6 电容器选型
        7.       43
        8. 8.2.2.7 启动电容器
        9. 8.2.2.8 环流二极管
        10. 8.2.2.9 高级信息
          1. 8.2.2.9.1 输出电压限制
          2. 8.2.2.9.2 内部补偿网络
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 热计算
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 11.2 商标
    3. 11.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 11.4 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

概述

TPS5450 器件是一款具有集成高侧 N 沟道 MOSFET 的 36V、5A 降压稳压器。该器件通过电压前馈实现了恒定频率电压模式控制,以改善线路调整和线路瞬态响应。内部补偿降低了设计复杂性并减少了外部元件数量。

集成的 110mΩ 高侧 MOSFET 支持高效电源设计,能够提供 5A 的连续电流到负载。从 BOOT 连接至 PH 引脚的自举电容器为集成高侧 MOSFET 提供栅极驱动偏置电压。TPS5450 器件通过集成自举再充电二极管来减少外部元件数量。

TPS5450 器件的默认输入启动电压为 5.3V(典型值)。ENA 引脚可用于禁用 TPS5450,将电源电流减少到 18µA。当 EN 引脚悬空时,内部上拉电流源使其工作。TPS5450 包括内部慢启动电路,在启动期间减慢输出上升时间,以减少浪涌电流和输出电压过冲。

最小输出电压为内部 1.221V 反馈基准。通过过压保护 (OVP) 比较器使输出过压瞬变最小化。激活 OVP 比较器时,关闭高侧 MOSFET,并使其保持关闭,直至输出电压低于期望输出电压的 112.5%。

内部逐周期过流保护限制集成高侧 MOSFET 中的峰值电流。对于连续过流故障情况,TPS5450 将进入断续模式过流限制。热保护防止器件过热。