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ZHCSRP0F February 2023 – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA

6.3 建议运行条件

在工作温度范围 T_J = -55°C 至 125°C 内测得（除非另有说明）

		最小值	标称值	最大值	单位
输入电压	IN	0.85		7	V
	BIAS⁽¹⁾	V_IN	V_OUT + 1.6V
	BIAS⁽¹⁾	2.2		14
	PG	0		7
	EN	0		7
	FB_PG	0		6
	CLM	0		V_IN
输出电压	OUT⁽²⁾			V_IN – V_DO	V
	OUT⁽²⁾	0.4		5.5
	SS_SET⁽²⁾			V_IN – V_DO
	SS_SET⁽²⁾	0.4		5.5
输入电流	PG	0		0.002	A
输出电流	OUT	0		1.5	A
输出大容量电容⁽³⁾	C_OUT	132	200	308	µF
	ESR	7		40	mΩ
	ESL	0.8		2.4	nH
基准配置	R_REF	11	12	13	kΩ
EN 切换时间⁽⁴⁾	t_{EN_LOW}	20			µs
结温	T_J	–55		125	°C

(1) BIAS 有两个最小值 V_IN 和 2.2V。BIAS 必须设置为大于或等于这两个值中的较大者。BIAS 最大值始终为 14V。要充分发挥性能，请设置 V_BIAS ≥ V_OUT + 1.6V。有关更多详细信息，请参阅辅助电源 部分。

(2) OUT 和 SS_SET 有两个最大值 (V_IN – V_DO) 和 5.5V。OUT 和 SS_SET 必须设置为小于或等于这两个值中的较小者。OUT 和 SS_SET 最小值始终为 0.4V。

(3) 这些是大容量电容的默认可接受输出电容、等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL) 值。可能也可以接受其他值，例如使用 STAB 引脚通过外部补偿修改控制环路。通常使用钽或钽聚合物电容器来满足这些要求。不需要额外的陶瓷去耦电容器，但可接受在负载点附近使用具有低 ESL 的单个 0.1μF 陶瓷电容器。

由于 TPS7H1111 LDO 在宽带宽范围内提供高 PSRR 和低噪声，因此无需额外的较大陶瓷电容器。因此，TPS7H1111 不支持较大的陶瓷电容器。有关更多信息，请参阅输出电容 部分。

(4) t_{EN_LOW} 是为检测复位而将器件再次驱动为高电平之前必须将 EN 引脚驱动为低电平的时间。这通常仅在尝试退出关断电流限制模式时适用。