ZHCSTN4B October   2023  – August 2024 TMCS1133

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 绝缘规格
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 参数测量信息
    1. 7.1 精度参数
      1. 7.1.1 灵敏度误差
      2. 7.1.2 偏移量误差和偏移量误差漂移
      3. 7.1.3 非线性误差
      4. 7.1.4 电源抑制比
      5. 7.1.5 共模抑制比
      6. 7.1.6 外部磁场误差
    2. 7.2 瞬态响应参数
      1. 7.2.1 CMTI,共模瞬态抗扰度
    3. 7.3 安全工作区
      1. 7.3.1 持续直流或正弦交流电流
      2. 7.3.2 重复脉冲电流 SOA
      3. 7.3.3 单粒子电流能力
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电流输入
      2. 8.3.2 环境磁场抑制
      3. 8.3.3 高精度信号链
        1. 8.3.3.1 温度稳定性
        2. 8.3.3.2 寿命和环境稳定性
      4. 8.3.4 内部基准电压
      5. 8.3.5 电流检测可测量范围
      6. 8.3.6 过流检测
      7. 8.3.7 传感器诊断
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电行为
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 总误差计算示例
        1. 9.1.1.1 室温误差计算
        2. 9.1.1.2 整个温度范围内的误差计算
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 器件支持
      1. 10.2.1 开发支持
    3. 10.3 文档支持
      1. 10.3.1 相关文档
    4. 10.4 接收文档更新通知
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

偏移量误差和偏移量误差漂移

偏移量误差是指零输入电流与理想输出的偏差,并且通常会限制低输入电流水平下的测量精度。偏移量误差既可以输出为基准(作为失调电压误差),也可以输入为基准(作为失调电流误差)。当除以器件灵敏度 S 时,输出电压偏移量误差 VOE 以输入为基准,作为输入电流偏移量误差 IOS(请参阅方程式 4)。以输入为基准 (RTI) 的偏移量误差 (RTI) 允许与输入电流进行更直接的比较,或使输入电流产生偏移量误差。无论偏移量误差是以输入为基准(作为电流偏移量误差 IOS),还是以输出为基准(作为电压偏移量误差 VOE),偏移量误差都是单个误差源,并且在以输入为基准或以输出为基准的误差计算中只能包括一次。

方程式 4. IOS=VOES

图 7-1 所示,TMCS1133 的输出电压偏移量误差 VOE 是零电流输出电压 VOUT,0A 和零电流输出基准电压 VREF 之间的差(请参阅方程式 5)。

方程式 5. VOE=VOUT,0A-VREF

输出偏移量误差 VOE 包括霍尔传感器中的磁性偏移量误差信号链中的失调电压误差以及内部零电流输出基准电压 VREF 中的偏移量误差。

温漂是偏移量随温度 T 而发生的变化。输出温漂以 µV/°C 为单位。要计算任何给定温度下的偏移量误差,请将温漂乘以温度变化,并将该值与 25°C 时的偏移量误差相加(请参阅方程式 6)。

方程式 6. V O E , T = V O E , 25 + V O E , d r i f t × T

其中

  • VOE,drift 是以 µV/°C 为单位的输出电压温漂。
  • ΔT 是相对于 25°C 的器件温度变化。