ZHCT355 October 2021 TPS548B27 , TPS548B28
7 开关节点振铃比较
在观察电源高侧 MOSFET 的开关节点振铃时，可以看见寄生电感效应。仔细检查图 7-1 和图 7-2 后发现，增强型 HotRod QFN 封装设计的电压过冲比表 7-1 中显示的 HotRod 封装设计低 0.1V，这是显而易见的。很难确定电压振铃差异的来源，但可以放心地假设增强型 HotRod QFN 封装不会降低开关节点振铃性能。不过，有可能是增强型 HotRod QFN 封装的机械结构减小了 IC 的内部寄生电感，从而使得高侧 MOSFET 的开关节点振铃略有改进。
表 7-1 开关节点振铃条件和结果
| 封装 | VIN | VOUT | FSW | 振铃 |
|---|---|---|---|---|
| 增强型 HotRod QFN 封装 | 12V | 1V | 600kHz | 0.7 V |
| HotRod 封装 | 0.8V |
图 7-1 增强型 HotRod QFN 封装高侧 FET 振铃
图 7-2 HotRod 封装高侧 FET 振铃