ZHCT355 October   2021 TPS548B27 , TPS548B28

 

  1. 引言
  2. 设计注意事项
  3. 布局比较
  4. 热性能比较
  5. 效率比较
  6. 负载瞬态比较
  7. 开关节点振铃比较
  8. 结论
  9. 附加资源
  10. 10重要声明

负载瞬态比较

在 20A 满负载条件下,或者从 0A 到 12A,然后从 12A 到 0A,以 0% 至 60% 负载阶跃执行了负载瞬态测试。上升负载阶跃具有 8A/μs 压摆率。在比较图 6-1图 6-2 中的瞬态响应波形时,增强型 HotRod QFN 封装设计与 HotRod 封装设计非常相似,由于负载瞬态,仅在总输出电压过冲和下冲之间存在 1mV 的差异。与 HotRod 封装相比,增强型 HotRod QFN 设计在负载瞬态性能方面的改进非常小,几乎难以察觉。表 6-1 显示了结果。

表 6-1 负载瞬态条件和结果
封装 VIN VOUT FSW 负载阶跃 压摆率 峰值间电压
增强型 HotRod QFN 封装 12V 1V 600kHz 0 A 至 12 A 8A/μs 133.9 mV
HotRod 封装 134.8 mV
GUID-20210908-SS0I-GPDW-J9LT-7QFQCJH0RDK9-low.jpg图 6-1 增强型 HotRod QFN 封装瞬态响应
GUID-20210908-SS0I-W3BL-RCJV-NDFVN1ZC7WGS-low.jpg图 6-2 HotRod 封装瞬态响应