ZHCT355 October 2021 TPS548B27 , TPS548B28
4 热性能比较
每个电路板均在 15A 电流下运行，当每种设计在同样的条件下运行时，测量了各自的 IC 温度。增强型 HotRod QFN 封装的 IC 温度为 70.3°C，如图 4-1 中所示。HotRod 封装的温度也是 70.3°C，如图 4-2 中所示。未观察到其他明显的差异。可以有把握地得出结论，两个封装示例之间的温度差异可能是由 IC 的批次间工艺变化引起的，如漏源导通电阻 (RDS(on)) 或开关频率。增强型 HotRod QFN 封装与 HotRod 封装相比，在热性能上未带来任何改进或降级。
图 4-1 增强型 HotRod QFN 封装热性能图像
图 4-2 HotRod 封装热性能图像