8 结论

在既定的工作条件下，与 HotRod 封装相比，增强型 HotRod QFN 封装的性能未出现明显下降。经过非常仔细的检查后发现，功率耗散会显示出 50mW 的差异，但仅在 15A 负载电流下如此。另一方面，增强型 HotRod QFN 封装可将开关节点振铃减少 0.1V 并将负载瞬态输出电压过冲和下冲减少 1mV，相对来说可忽略不计。表 8-1 汇总了结果。

鉴于变量过多，比较结果通常并无定论，因此新的封装技术往往会遭到质疑。不过，在此示例中，电路差异很小，测量结果也很相似。采用增强型 HotRod QFN 封装实现新型直流/直流转换器后，采用此封装进行设计便可作为一种低风险的替代方案，帮助供应商解决封装内部产生的寄生效应问题。

增强型 HotRod QFN 封装提供了一种新颖的方法来改善集成电路的空间占用，可以实现更好的振铃性能，与其他现有封装技术相比，其布局布线可能更加友好、更加灵活。