5 效率比较

表 5-1 比较了两种封装的效率和功率耗散情况。我们对每个器件的 VCC 施加了 3.3V 偏置电压，以便消除内部线性稳压器所产生的任何损耗，该稳压器负责为 IC 供电。线性稳压器损耗可能因批次间的工艺变化而异；您可以施加外部 3.3V 偏置电压并获得最接近的效率比较结果，从而消除这些损耗。每种封装的效率和功率耗散结果非常类似，但 HotRod 封装设计的功率耗散低 50mW，或效率高 0.2%，这仅适用于 15A 电流情形，可以忽略不计。增强型 HotRod QFN 封装未带来任何改进，相比 HotRod 封装仅出现轻微的效率下降。