2 拓扑概述

该拓扑使用两个以 180° 异相运行的相位，使用单个直流阻断电容器 C_b，利用两相架构提供的纹波电流消除，并降低 C_b 中的均方根 (RMS) 电流应力。调整 L_b1 和 L_b2 来处理 TCM 运行所需的高频交流纹波电流，从而消除 TCM 中使用的电感器所需的直流偏置负担，如以下文献所定义：[5]。为 L_b1 和 L_b2 使用铁氧体磁芯，确保在存在零电压开关 (ZVS) 所需的高磁通摆幅的情况下具有低损耗。L_g1 和 L_g2 的值大于 L_b1 和 L_b2（约大 10 倍），可防止大部分高频电流流入输入源，进而改善 EMI。此外，由于 L_g1 和 L_g2 中的纹波电流较低，因此可以使用成本更低的磁芯材料。图 1 还显示了适用于电感器和开关节点的纹波电流包络。