ZHCT509 April   2024 AM263P4 , AM263P4-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2本文档中使用的首字母缩写词
  6. 3ROM 引导要求
  7. 4应用要求
  8. 5其他使用因素
  9. 6MCU PLUS SDK 中的闪存支持
  10. 7兼容的闪存器件
  11. 8已测试的闪存器件
  12. 9参考资料

ROM 引导要求

图 1-2 所示,引导流程是 AM263P 采用的一个在上电时启动的序列。R5F 上的 ROM 代码设置为以器件特定技术参考手册中"初始化"一章介绍的特定方式工作。ROM 代码要求闪存发出特定指令,并要求特定的时序和组帧配置来建立通信。AM263P 器件支持多种引导模式,ROM 代码需要以下支持:

  • 闪存器件的工作电压必须为 3.3V 左右
  • 在 OSPI 引导模式下,闪存必须支持八路输出快速读取(操作码 0x8B)和 1S-1S-8S 传输协议
  • 在 QSPI 引导模式下,闪存必须支持四路输出快速读取(操作码 0x6B)和 1S-1S-4S 传输协议
  • 在前面提到的读取操作期间,闪存器件必须提供 8 个虚拟 时钟周期来设置初始地址
  • 默认情况下,闪存器件必须在 1S 模式下引导
  • 默认情况下,闪存必须支持 3 字节(24 位)寻址模式
  • 建议至少使用 4MB 的闪存大小
  • 根据器件勘误表项 i2426,引导 ROM 不支持使用扩展操作码的器件。此问题仅适用于在 8D 引导模式下需要扩展操作码支持的闪存。1S 和 8S 引导模式不受此限制的影响。计划在未来的器件修订版中支持该功能。

所有这些信息均可在所评估的闪存器件的数据表中找到。闪存器件必须支持上述所有要点,才能满足 AM263P 兼容性要求。