ZHCU032K December 2004 – August 2022 MSP430AFE221 , MSP430AFE222 , MSP430AFE223 , MSP430AFE231 , MSP430AFE232 , MSP430AFE233 , MSP430AFE251 , MSP430AFE252 , MSP430AFE253 , MSP430F2001 , MSP430F2002 , MSP430F2003 , MSP430F2011 , MSP430F2012 , MSP430F2013 , MSP430F2101 , MSP430F2111 , MSP430F2112 , MSP430F2121 , MSP430F2122 , MSP430F2131 , MSP430F2132 , MSP430F2132-EP , MSP430F2232 , MSP430F2234 , MSP430F2252 , MSP430F2252-Q1 , MSP430F2254 , MSP430F2272 , MSP430F2272-Q1 , MSP430F2274 , MSP430F2274-EP , MSP430F233 , MSP430F2330 , MSP430F235 , MSP430F2350 , MSP430F2370 , MSP430F2410 , MSP430F2416 , MSP430F2417 , MSP430F2418 , MSP430F2419 , MSP430F247 , MSP430F2471 , MSP430F248 , MSP430F2481 , MSP430F249 , MSP430F2491 , MSP430F2616 , MSP430F2617 , MSP430F2618 , MSP430F2619 , MSP430G2001 , MSP430G2101 , MSP430G2102 , MSP430G2111 , MSP430G2112 , MSP430G2121 , MSP430G2131 , MSP430G2132 , MSP430G2152 , MSP430G2153 , MSP430G2201 , MSP430G2201-Q1 , MSP430G2202 , MSP430G2203 , MSP430G2210 , MSP430G2211 , MSP430G2212 , MSP430G2213 , MSP430G2221 , MSP430G2230 , MSP430G2231 , MSP430G2231-Q1 , MSP430G2232 , MSP430G2233 , MSP430G2252 , MSP430G2253 , MSP430G2302 , MSP430G2303 , MSP430G2312 , MSP430G2313 , MSP430G2332 , MSP430G2333 , MSP430G2352 , MSP430G2353 , MSP430G2402 , MSP430G2403 , MSP430G2412 , MSP430G2413 , MSP430G2432 , MSP430G2433 , MSP430G2444 , MSP430G2452 , MSP430G2453 , MSP430G2513 , MSP430G2533 , MSP430G2544 , MSP430G2553 , MSP430G2744 , MSP430G2755 , MSP430G2855 , MSP430G2955 , MSP430TCH5E
表 26-5 列出了 SD16_A 的存储器映射寄存器。
地址 | 首字母缩写 | 寄存器名称 | 类型 | 复位 | 部分 |
---|---|---|---|---|---|
100h | SD16CTL | SD16_A 的控制 | 读取/写入 | PUC 后为 00h | Topic Link Label26.4.1 |
102h | SD16CCTL0 | SD16_A 通道 0 的控制 | 读取/写入 | PUC 后为 00h | Topic Link Label26.4.2 |
112h | SD16MEM0 | SD16_A 转换存储器 | 读取/写入 | PUC 后为 00h | Topic Link Label26.4.3 |
B0h | SD16INCTL0 | SD16_A 的输入控制 | 读取/写入 | PUC 后为 00h | Topic Link Label26.4.4 |
B7h | SD16AE | SD16_A 的模拟使能 | 读取/写入 | PUC 后为 00h | Topic Link Label26.4.5 |
110h | SD16IV | SD16_A 中断向量 | 读取/写入 | PUC 后为 00h | Topic Link Label26.4.6 |
SD16_A 控制寄存器
图 26-9 展示了 SD16CTL,表 26-6 中对此进行了介绍。
返回表 26-5。
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
保留 | SD16XDIVx | SD16LP | |||||
r0 | r0 | r0 | r0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 |
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0Ω |
SD16DIVx | SD16SSELx | SD16VMIDON | SD16REFON | SD16OVIE | 保留 | ||
rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | r0 |
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
15-12 | 保留 | R | 0h | |
11-9 | SD16XDIVx | R/W | 0h | SD16_A 时钟分频器 000b = /1 001b = /3 010b = /16 011b = /48 1xxb = 保留 |
8 | SD16LP | R/W | 0h | 低功耗模式。该位选择低速低功耗模式。 0b = 禁用低功耗模式 1b = 启用低功耗模式。SD16_A 的最大时钟频率被降低。 |
7-6 | SD16DIVx | R/W | 0h | SD16_A 时钟分频器 00b = /1 01b = /2 10b = /4 11b = /8 |
5-4 | SD16SSELx | R/W | 0h | SD16_A 时钟源选择 00b = MCLK 01b = SMCLK 10b = ACLK 11b = 外部 TACLK |
3 | SD16VMIDON | R/W | 0h | VMID 缓冲在 0b = 关闭 1b = 打开 |
2 | SD16REFON | R/W | 0h | 基准发电机在 0b = 基准关闭 1b = 基准打开 |
1 | SD16OVIE | R/W | 0h | SD16_A 溢出中断使能。为了启用中断,必须把 GIE 位也置位。 0b = 禁用溢出中断 1b = 使能溢出中断 |
0 | 保留 | R | 0h |
SD16_A 通道 0 控制寄存器
图 26-10 展示了 SD16CCTL0,表 26-7 中对此进行了介绍。
返回表 26-5。
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
保留 | SD16BUFx#SLAU144SD16AR316 | SD16UNI | SD16XOSR | SD16SNGL | SD16OSRx | ||
r0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 |
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0Ω |
SD16LSBTOG | SD16LSBACC | SD16OVIFG | SD16DF | SD16IE | SD16IFG | SD16SC | 保留 |
rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | r-0 |
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
15 | 保留 | R | 0h | |
14-13 | SD16BUFx#SLAU144SD16AR316 | R/W | 0h | 高阻抗输入缓冲模式。被保留在 MSP430x20x3 器件中。 00b = 禁用缓冲器 01b = 低速低电流 10b = 中速中电流 11b = 高速高电流 |
12 | SD16UNI | R/W | 0h | 单极性模式选择 0b = 双极模式 1b = 单极模式 |
11 | SD16XOSR | R/W | 0h | 已扩展的过采样率。该位,与 SD16OSRx 位一起,选择过采样率。有关设置请参阅《SD16OSRx 位说明》。 |
10 | SD16SNGL | R/W | 0h | 单次转换模式选择 0b = 连续转换模式 1b = 单次转换模式 |
9-8 | SD16OSRx | R/W | 0h | 过采样率 当 SD16XOSR = 0 时 00b = 256 01b = 128 10b = 64 11b = 32 当 SD16XOSR= 1 时 00b = 512 01b = 1024 10b = 被保留 11b = 保留 |
7 | SD16LSBTOG | R/W | 0h | LSB 触发。该位,当置位时,每当读取 SD16MEM0 寄存器时都会引起 SD16LSBACC 触发。 0b = SD16LSBACC 不在每次 SD16MEM0 读取时切换 1b = SD16LSBACC 在每次 SD16MEM0 读取时切换 |
6 | SD16LSBACC | R/W | 0h | LSB 访问。该位允许访问高于或低于 SD16_A 转换结果的 16 位。 0b = SD16MEMx 包含转换的 16 个最高有效位。 1b = SD16MEMx 包含转换的 16 个最低有效位。 |
5 | SD16OVIFG | R/W | 0h | SD16_A 溢出中断标志 0b = 无溢出中断待处理 1b = 溢出中断待处理 |
4 | SD16DF | R/W | 0h | SD16_A 的数据格式 0b = 偏移二进制 1b = 二进制补码 |
3 | SD16IE | R/W | 0h | SD16_A 的中断使能 0b = 禁用 1b = 被启用 |
2 | SD16IFG | R/W | 0h | SD16_A 的中断标志。当新的转换结果可用时,可置位 SD16IFG 位。当相应的 SD16MEMx 寄存器被读取或被软件清零时,SD16IFG 自动复位。 0b = 无中断挂起 1b = 中断挂起 |
1 | SD16SC | R/W | 0h | SD16_A 开始转换 0b = 无转换开始 1b = 开始转换 |
0 | 保留 | R | 0h |
SD16_A 转换存储器寄存器
图 26-11 展示了 SD16MEM0,表 26-8 中对此进行了介绍。
返回表 26-5。
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
转换结果 | |||||||
r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 |
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0Ω |
转换结果 | |||||||
r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 |
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
15-0 | 转换结果 | R | 0h | 转换结果。SD16MEMx 寄存器是否保持数字滤波器输出的高于或低于 16 位是由SD16LSBACC 位决定的。 |
SD16_A 输入控制寄存器
图 26-12 展示了 SD16INCTL0,表 26-9 中对此进行了介绍。
返回表 26-5。
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0Ω |
SD16INTDLYx | SD16GAINx | SD16INCHx | |||||
rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 |
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7-6 | SD16INTDLYx | R/W | 0h | 转换开始后产生的中断延迟。这些位选择转换开始后的第一个中断延迟。 00b = 第四个样本引起中断 01b = 第三个采样引起中断 10b = 第二个采样引起中断 11b = 第一个采样引起中断 |
5-3 | SD16GAINx | R/W | 0h | SD16_A 前置放大器的增益 000b = ×1 001b = ×2 010b = ×4 011b = ×8 100b = ×16 101b = ×32 110b = 保留 111b = 保留 |
2-0 | SD16INCHx | R/W | 0h | SD16_A 的通道差分对输入 000b = A0 001b = A1 010b = A2 011b = A3 100b = A4 101b = A5,(AVCC – AVSS)/11 110b = A6,温度传感器 111b = A7,用于 PGA 失调电压测量的短接 |
SD16_A 模拟使能寄存器
图 26-13 展示了 SD16AE,表 26-10 中对此进行了介绍。
返回表 26-5。
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0Ω |
SD16AE7 | SD16AE6 | SD16AE5 | SD16AE4 | SD16AE3 | SD16AE2 | SD16AE1 | SD16AE0 |
rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 | rw - 0 |
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7 | SD16AE7 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 7 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
6 | SD16AE6 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 6 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
5 | SD16AE5 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 5 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
4 | SD16AE4 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 4 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
3 | SD16AE3 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 3 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
2 | SD16AE2 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 2 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
1 | SD16AE1 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 1 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
0 | SD16AE0 | R/W | 0h | SD16_A 模拟使能 0 0b = 禁用外部输入。负极输入端被内置连接到 VSS。 1b = 启用外部输入。 |
SD16_A 中断向量寄存器
图 26-14 展示了 SD16IV,表 26-11 中对此进行了介绍。
返回表 26-5。
15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
SD16IVx | |||||||
r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 |
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0Ω |
SD16IVx | |||||||
r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 | r-0 |
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
15-0 | SD16IVx | R | 0h | SD16_A 中断向量值。请参阅表 26-12。 |
SD16IV 内容 | 中断源 | 中断标志 | 中断优先级 |
---|---|---|---|
000h | 无中断挂起 | - | |
002h | SD16MEMx 溢出 | SD16CCTLx SD16OVIFG | 最高 |
004h | SD16_A 的中断 | SD16CCTL0 SD16IFG | |
006h | 保留 | - | |
008h | 保留 | - | |
00Ah | 保留 | - | |
00Ch | 保留 | - | |
00Eh | 保留 | - | |
010h | 保留 | - | 最低 |