MOSFET 开关由一个栅极输出驱动，该输出针对大于 15.2V 的 VCC 偏置电压在内部被钳位至 15.2V。建议使用外部栅极驱动电阻限制上升时间，同时抑制由栅极驱动电路的寄生电感和电容引起的任何振铃效应。该电阻有助于满足转换器的所有 EMI 要求。本参考设计使用 22Ω 电阻；所有设计的最终值均取决于设计布局的相关寄生元件。为了便于快速关断，100V/1A 标准肖特基二极管或开关二极管与栅极驱动电阻以反并联方式放置。在 MOSFET 的栅极和接地端之间放置一个 10kΩ 电阻，以使栅极电容放电并防止意外的 d_V/d_T 触发激活。

FET 两端的最高电压是最高输出升压电压（即 425V），这也是 PFC 转换器关断输出的过压设定值。考虑到电压降额 30%，MOSFET 的额定直流电压必须高于 550V。

本设计使用的 IPW60R099P6 MOSFET 电压为 600V，25°C 时电流为 37.9A，100°C 时电流为 24A。如果考虑成本，本参考设计也可使用 IGBT 替代 MOSFET。本参考设计需要为 MOSFET 或 IGBT 提供尺寸适宜的散热器。