ISO5852S 和 ISO5452 是适用于 IGBT 和 MOSFET 的隔离智能栅极驱动器。输入 CMOS 逻辑和输出功率级由二氧化硅 (SiO₂) 电容隔离进行隔离。图 2-9 所示为功能方框图。

图 2-9 ISO5852S/ISO5452 功能方框图

输入侧的 I/O 电路与 MCU 相连，该电路由栅极驱动控制 (IN+|IN–) 输入、复位 (RST) 输入、就绪 (RDY) 警报输出和故障 (FLT) 警报输出组成。功率级包含功率晶体管（用于提供 2.5A 上拉电流和 5A 下拉电流来驱动外部功率晶体管的容性负载），以及 DESAT 检测电路（用于在短路期间监控 IGBT 是否发生集电极-发射极过压）。电容隔离内核由发送电路（用于跨电容式隔离层耦合信号）和接收电路（用于将产生的低摆幅信号转换为 CMOS 电平）组成。ISO5852S/ISO5452 还包含欠压锁定 (UVLO) 电路，可用于防止对外部 IGBT 的栅极驱动不足。此外，它还提供有源输出下拉功能，可确保栅极驱动器输出在输出电源电压不存在时保持低电平。ISO5852S/ISO5452 还具有有源米勒钳位功能，可用于防止米勒效应导致的以下情况发生：外部功率晶体管为进行单极电源操作而接通寄生。