ZHCU410B December 2017 – November 2022
此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2),硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入(STO_1 和 STO_2)变为低电平有效时,将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器初级侧和次级侧的相应电源,从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TUEV SUED 评估,通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。